熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 也是科研與教學領域的利器，其設備能捕捉微觀世界的熱信號。它將紅外探測與顯微技術結合，呈現物體表面溫度分布，分辨率達微米級，可觀察半導體芯片熱點、電子器件熱分布等。非接觸式測量是其一大優勢，無需與被測物體直接接觸，避免了對樣品的干擾，適用于多種類型的樣品檢測。實時成像功能可追蹤動態熱變化，如材料相變、化學反應熱釋放。在高校，熱紅外顯微鏡助力多學科實驗；在企業，為產品研發和質量檢測提供支持，推動各領域創新突破。鎖相熱紅外電激勵成像技術在各個領域具有廣泛應用前景，為產品質量控制和可靠性保障提供了重要手段。中波鎖相紅外熱成像系統emmi

在電子行業，鎖相熱成像系統為芯片檢測帶來了巨大的變革。芯片結構精密復雜，傳統的檢測方法不僅效率低下，還可能對芯片造成損傷。而鎖相熱成像系統通過對芯片施加周期性的電激勵，使芯片內部因故障產生的微小溫度變化得以顯現，系統能夠敏銳捕捉到這些變化，進而定位電路中的短路、虛焊等故障點。其非接觸式的檢測方式，從根本上避免了對精密電子元件的損傷，同時提升了芯片質檢的效率與準確性。在芯片生產的大規模質檢中，它能夠快速篩選出不合格產品，為電子行業的高質量發展提供了有力支持。紅外光譜鎖相紅外熱成像系統功能快速定位相比其他檢測技術，鎖相熱成像技術能夠在短時間內快速定位熱點，縮短失效分析時間。

致晟光電熱紅外顯微鏡采用高性能InSb（銦銻）探測器，用于中波紅外波段（3–5 μm）的熱輻射信號捕捉。InSb材料具有優異的光電轉換效率和極低的本征噪聲，在制冷條件下可實現高達nW級的熱靈敏度和優于20mK的溫度分辨率，適用于高精度、非接觸式熱成像分析。該探測器在熱紅外顯微系統中的應用，提升了空間分辨率（可達微米量級）與溫度響應線性度，使其能夠對半導體器件、微電子系統中的局部發熱缺陷、熱點遷移和瞬態熱行為進行精細刻畫。配合致晟光電自主開發的高數值孔徑光學系統與穩態熱控平臺，InSb探測器可在多物理場耦合背景下實現高時空分辨的熱場成像，是先進電子器件失效分析、電熱耦合行為研究及材料熱特性評價中的關鍵。

鎖相熱成像系統借助電激勵在電子產業的微型電子元件檢測中展現出極高的靈敏度，滿足了電子產業向微型化、高精度發展的需求。隨著電子技術的不斷進步，電子元件正朝著微型化方向快速發展，如微型傳感器、微型繼電器等，其尺寸通常在毫米甚至微米級別，缺陷也更加細微，傳統的檢測方法難以應對。電激勵能夠在微型元件內部產生微小但可探測的溫度變化，即使是納米級的缺陷也能引起局部溫度的細微波動。鎖相熱成像系統結合先進的鎖相技術，能夠從強大的背景噪聲中提取出與電激勵同頻的溫度信號，將微小的溫度變化放大并清晰顯示出來，從而檢測出微米級的缺陷。例如，在檢測微型加速度傳感器的敏感元件時，系統能夠發現因制造誤差導致的微小結構變形，這些變形會影響傳感器的測量精度。這一技術的應用，為微型電子元件的質量檢測提供了有力支持，推動了電子產業向微型化、高精度方向不斷發展。電激勵激發缺陷熱特征，鎖相熱成像系統識別。

鎖相頻率越高，得到的空間分辨率則越高。然而，對于鎖相紅外熱成像系統來說，較高的頻率往往會降低待檢測的熱發射。這是許多 LIT系統的限制。RTTLIT系統通過提供一個獨特的系統架構克服了這一限制，在該架構中，可以在"無限"的時間內累積更高頻率的 LIT 數據。數據采集持續延長，數據分辨率提高。系統采集數據的時間越長，靈敏度越高。當試圖以極低的功率級采集數據或必須從弱故障模式中采集數據時，鎖相紅外熱成像RTTLIT系統的這一特點尤其有價值。檢測速度快，但鎖相熱紅外電激勵成像所得的位相圖不受物體表面情況影響，對深層缺陷檢測效果更好。廠家鎖相紅外熱成像系統成像

在無損檢測領域，電激勵與鎖相熱成像系統的結合，為金屬構件疲勞裂紋的早期發現提供了有效手段。中波鎖相紅外熱成像系統emmi

電激勵參數的實時監控對于鎖相熱成像系統在電子產業檢測中的準確性至關重要，是保障檢測結果可靠性的關鍵環節。在電子元件檢測過程中，電激勵的電流大小、頻率穩定性等參數可能會受到電網波動、環境溫度變化等因素的影響而發生微小波動，這些波動看似細微，卻可能對檢測結果產生干擾，尤其是對于高精度電子元件的檢測。通過實時監控系統對電激勵參數進行持續監測，并將監測數據實時反饋給控制系統，可及時調整激勵源的輸出，確保電流、頻率等參數始終穩定在預設范圍內。例如，在檢測高精度 ADC（模數轉換）芯片時，其內部電路對電激勵的變化極為敏感，即使是 0.1% 的電流波動，也可能導致芯片內部溫度分布出現異常，干擾對真實缺陷的判斷。而實時監控系統能將參數波動控制在 0.01% 以內，有效保障了檢測的準確性，為電子元件的質量檢測提供了穩定可靠的技術環境。中波鎖相紅外熱成像系統emmi