在致晟光電的微光顯微鏡系統中，光發射顯微技術憑借優化設計的光學系統與制冷型 InGaAs 探測器，能夠捕捉低至皮瓦（pW）級別的微弱光子信號。這一能力使其在檢測柵極漏電、PN 結微短路等低強度發光失效問題時，展現出靈敏度與可靠性。同時，微光顯微鏡具備非破壞性的檢測特性，確保器件在分析過程中不受損傷，既適用于研發階段的失效分析，也滿足量產階段對質量管控的嚴苛要求。其亞微米級的空間分辨率，更讓微小缺陷無所遁形，為高精度芯片分析提供了有力保障。
針對射頻芯片，Thermal EMMI 可捕捉高頻工作時的局部熱耗異常，輔助性能優化。科研用微光顯微鏡選購指南

微光顯微鏡 EMMI（Emission Microscopy）是一種利用半導體器件在通電運行時產生的極微弱光輻射進行成像的失效分析技術。這些光輻射并非可見光，而是源于載流子在高電場或缺陷區復合時釋放的光子，波長通常位于近紅外區域。EMMI 系統通過高靈敏度的冷卻型探測器（如 InGaAs 或 Si CCD）捕捉這些信號，并結合高倍率光學系統實現亞微米級的缺陷定位。與熱成像類技術相比，EMMI 對于沒有***溫升但存在擊穿、漏電或柵氧化層損傷的缺陷檢測效果尤為突出，因為這些缺陷在光子發射特性上更容易被識別。這使得微光顯微鏡 EMMI 在先進工藝節點和低功耗器件的失效分析中扮演著不可替代的角色。制造微光顯微鏡內容Thermal EMMI 通過檢測半導體缺陷處的熱致光子發射，定位芯片內部隱性電失效點。

偵測不到亮點之情況不會出現亮點之故障：1.亮點位置被擋到或遮蔽的情形（埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置）；2.歐姆接觸；3.金屬互聯短路；4.表面反型層；5.硅導電通路等。

亮點被遮蔽之情況：埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置，這種情況可采用Backside模式，但是只能探測近紅外波段的發光，且需要減薄及拋光處理。

測試范圍：故障點定位、尋找近紅外波段發光點測試內容：1.P-N接面漏電；P-N接面崩潰2.飽和區晶體管的熱電子3.氧化層漏電流產生的光子激發4.Latchup、GateOxideDefect、JunctionLeakage、HotCarriersEffect、ESD等問題

芯片出問題不用慌！致晟光電專門搞定各類失效難題～不管是靜電放電擊穿的芯片、過壓過流燒斷的導線，還是過熱導致的晶體管損傷、熱循環磨斷的焊點，哪怕是材料老化引發的漏電、物理磕碰造成的裂紋，我們都有辦法定位。致晟的檢測設備能捕捉到細微的失效信號，從電氣應力到熱力學問題，從機械損傷到材料缺陷，一步步幫你揪出“病根”，還會給出詳細的分析報告。不管是研發時的小故障，還是量產中的質量問題，交給致晟，讓你的芯片難題迎刃而解～有失效分析需求？隨時來找我們呀！??我司設備以高性價比成為國產化平替選擇。

在微光顯微鏡（EMMI）的操作過程中，對樣品施加適當電壓時，其失效點會由于載流子加速散射或電子-空穴對復合效應而發射特定波長的光子。這些光子經過光學采集與圖像處理后，可形成一張清晰的信號圖，用于反映樣品在供電狀態下的發光特征。隨后，通過取消施加在樣品上的電壓，在無電狀態下采集一張背景圖，用于記錄環境光和儀器噪聲。將信號圖與背景圖進行疊加和差分處理，可以精確識別并定位發光點的位置，實現對失效點的高精度定位。為了進一步提升定位精度，通常會結合多種圖像處理技術進行優化。例如，可通過濾波算法有效去除背景噪聲，提高信號圖的信噪比；同時利用邊緣檢測技術，突出發光點的邊界特征，從而實現更精細的定位與輪廓識別。借助這些方法，EMMI能夠對半導體芯片、集成電路及微電子器件的失效點進行精確分析，為故障排查、工藝優化和設計改進提供可靠依據，并提升失效分析的效率和準確性。國產微光顯微鏡技術成熟，具備完整工藝。半導體微光顯微鏡平臺

微光顯微鏡助力排查復雜電路?？蒲杏梦⒐怙@微鏡選購指南

失效分析是一種系統性技術流程，通過多種檢測手段、實驗驗證以及深入分析，探究產品或器件在設計、制造和使用各階段出現故障、性能異?；蚴У母驹?。與單純發現問題不同，失效分析更強調精確定位失效源頭，追蹤導致異常的具體因素，從而為改進設計、優化工藝或調整使用條件提供科學依據。尤其在半導體行業，芯片結構復雜、功能高度集成，任何微小的缺陷或工藝波動都可能引發性能異?；蚴?，因此失效分析在研發、量產和終端應用的各個環節都發揮著不可替代的作用。在研發階段，它可以幫助工程師識別原型芯片設計缺陷或工藝偏差；在量產階段，則用于排查批量性失效的來源，優化生產流程；在應用階段，失效分析還能夠解析環境應力或長期使用條件對芯片可靠性的影響，從而指導封裝、材料及系統設計的改進。通過這一貫穿全生命周期的分析過程，半導體企業能夠更有效地提升產品質量、保障性能穩定性，并降低潛在風險，實現研發與生產的閉環優化?？蒲杏梦⒐怙@微鏡選購指南