此外，致晟光電自主研發的熱紅外顯微鏡thermal emmi還能對芯片內部關鍵半導體結點的溫度進行監測，即結溫。結溫水平直接影響器件的穩定運行和使用壽命，過高的結溫會加速性能衰減。依托其高空間分辨率的熱成像能力，熱紅外顯微鏡不僅能夠實現結溫的精確測量，還能為研發人員提供詳盡的熱學數據，輔助制定合理的散熱方案。借助這一技術，工程師能夠在芯片研發、測試和應用各環節中掌握其熱特性，有效提升芯片的可靠性和整體性能表現。 Thermal Emission microscopy system, Thermal EMMI是一種利用紅外熱輻射來檢測和分析材料表面溫度分布的技術。高分辨率熱紅外顯微鏡聯系人

隨著半導體器件向先進封裝（如 2.5D/3D IC、Chiplet 集成）方向發展，傳統失效分析方法在穿透力和分辨率之間往往存在取舍。而 Thermal EMMI 在這一領域展現出獨特優勢，它能夠透過硅層或封裝材料觀測內部熱點分布，并在不破壞結構的情況下快速鎖定缺陷位置。對于 TSV（硅通孔）結構中的漏電、短路或工藝缺陷，Thermal EMMI 結合多波段探測和長時間積分成像，可在微瓦級功耗下識別異常點，極大減少了高價值樣品的損壞風險。這一能力讓 Thermal EMMI 成為先進封裝良率提升的重要保障，也為后續的物理剖片提供精確坐標，從而節省分析時間與成本。工業檢測熱紅外顯微鏡24小時服務存在缺陷或性能不佳的半導體器件通常會表現出異常的局部功耗分布，終會導致局部溫度增高。

熱紅外顯微鏡的分辨率不斷提升，推動著微觀熱成像技術的發展。早期的熱紅外顯微鏡受限于光學系統和探測器性能，空間分辨率通常在幾十微米級別，難以滿足微觀結構的檢測需求。隨著技術的進步，采用先進的紅外焦平面陣列探測器和超精密光學設計的熱紅外顯微鏡，分辨率已突破微米級，甚至可達亞微米級別。這使得它能清晰觀察到納米尺度下的溫度分布，例如在研究納米線晶體管時，可精細檢測單個納米線的溫度變化，為納米電子器件的熱管理研究提供前所未有的細節數據。

微光紅外顯微儀是一種高靈敏度的失效分析設備，可在非破壞性條件下，對封裝器件及芯片的多種失效模式進行精細檢測與定位。其應用范圍涵蓋：芯片封裝打線缺陷及內部線路短路、介電層（Oxide）漏電、晶體管和二極管漏電、TFT LCD面板及PCB/PCBA金屬線路缺陷與短路、ESD閉鎖效應、3D封裝（Stacked Die）失效點深度（Z軸）預估、低阻抗短路（＜10 Ω）問題分析，以及芯片鍵合對準精度檢測。相比傳統方法，微光紅外顯微儀無需繁瑣的去層處理，能夠通過檢測器捕捉異常輻射信號，快速鎖定缺陷位置，大幅縮短分析時間，降低樣品損傷風險，為半導體封裝測試、產品質量控制及研發優化提供高效可靠的技術手段。熱紅外顯微鏡成像儀通過將熱紅外信號轉化為可視化圖像，直觀呈現樣品的溫度分布差異。

致晟光電在 Thermal EMMI 技術的基礎上，融合了自主研發的 實時瞬態鎖相紅外熱分析技術（RTTLIT），提升了弱信號檢測能力。傳統 Thermal EMMI 在處理極低功耗芯片或瞬態缺陷時，容易受到環境熱噪聲干擾，而鎖相技術可以在特定頻率下同步提取信號，將信噪比提升數倍，從而捕捉到更細微的發熱變化。這種技術組合不僅保留了 Thermal EMMI 的非接觸、無損檢測優勢，還大幅拓寬了其應用場景——從傳統的短路、漏電缺陷分析，延伸到納瓦級功耗的功耗芯片、電源管理芯片以及新型傳感器的可靠性驗證。通過這一技術，致晟光電能夠為客戶提供更好、更快速的失效定位方案，減少剖片次數，降低分析成本，并提高產品開發迭代效率。熱紅外顯微鏡儀器具備自動化控制功能，可設定觀測參數，提升微觀熱分析的效率與準確性。半導體失效分析熱紅外顯微鏡銷售公司

熱紅外顯微鏡成像儀分辨率可達微米級別，能清晰呈現微小樣品表面的局部熱點與低溫區域。高分辨率熱紅外顯微鏡聯系人

與傳統的 emmi 相比，thermal emmi 在檢測復雜半導體器件時展現出獨特優勢。傳統 emmi 主要聚焦于光信號檢測，而 thermal emmi 增加了溫度監測維度，能更***地反映缺陷的物理本質。例如，當芯片出現微小短路缺陷時，傳統 emmi 可檢測到短路點的微光信號，但難以判斷短路對器件溫度的影響程度；而 thermal emmi 不僅能定位微光信號，還能通過溫度分布圖像顯示短路區域的溫升幅度，幫助工程師評估缺陷對器件整體性能的影響，為制定修復方案提供更***的參考。高分辨率熱紅外顯微鏡聯系人