在電性失效分析領域，微光顯微鏡 EMMI 常用于檢測擊穿通道、漏電路徑以及器件早期退化區域。芯片在高壓或大電流應力下運行時，這些缺陷部位會產生局部光發射，而正常區域則保持暗場狀態。EMMI 能夠在器件正常封裝狀態下直接進行非接觸式觀測，快速定位失效點，無需拆封或破壞結構。這種特性在 BGA 封裝、多層互連和高集成度 SoC 芯片的分析中尤其重要，因為它能在復雜的布線網絡中精細鎖定問題位置。此外，EMMI 還可與電性刺激系統聯動，實現不同工作模式下的動態成像，從而揭示缺陷的工作條件依賴性，幫助工程師制定更有針對性的設計優化或工藝改進方案。捕捉的信號極其微弱，通常在納瓦級（nW）甚至皮瓦級（pW），因此對系統的探測能力和信噪比要求極高；半導體微光顯微鏡平臺

EMMI的全稱是Electro-OpticalEmissionMicroscopy，也叫做光電發射顯微鏡。這是一種在半導體器件失效分析中常用的技術，通過檢測半導體器件中因漏電、擊穿等缺陷產生的微弱光輻射（如載流子復合發光），實現對微小缺陷的定位和分析，廣泛應用于集成電路、半導體芯片等的質量檢測與故障排查。

致晟光電該系列——RTTLITE20微光顯微分析系統（EMMI）是專為半導體器件漏電缺陷檢測而設計的高精度檢測系統。其中，實時瞬態鎖相熱分析系統采用鎖相熱成像(Lock-in Thermography)技術，通過調制電信號損升特征分辨率與靈敏度，結合軟件算法優化信噪比，以實現顯微成像下的高靈敏度熱信號測量。 國內微光顯微鏡24小時服務微光顯微鏡可在極低照度下實現高靈敏成像，適用于半導體失效分析。

近年來，國產微光顯微鏡 EMMI 設備在探測靈敏度、成像速度和算法處理能力方面取得***進步。一些本土廠商針對國內芯片制造和封測企業的需求，優化了光路設計和信號處理算法，使得設備在弱信號條件下依然能夠保持清晰成像。例如，通過深度去噪算法和 AI 輔助識別，系統可以自動區分真實缺陷信號與環境噪聲，減少人工判斷誤差。這不僅提升了分析效率，也為大規模失效分析任務提供了可行的自動化解決方案。隨著這些技術的成熟，微光顯微鏡 EMMI 有望從實驗室**工具擴展到生產線質量監控環節，進一步推動國產芯片產業鏈的自主可控。

偵測不到亮點之情況不會出現亮點之故障：1.亮點位置被擋到或遮蔽的情形（埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置）；2.歐姆接觸；3.金屬互聯短路；4.表面反型層；5.硅導電通路等。

亮點被遮蔽之情況：埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置，這種情況可采用Backside模式，但是只能探測近紅外波段的發光，且需要減薄及拋光處理。

測試范圍：故障點定位、尋找近紅外波段發光點測試內容：1.P-N接面漏電；P-N接面崩潰2.飽和區晶體管的熱電子3.氧化層漏電流產生的光子激發4.Latchup、GateOxideDefect、JunctionLeakage、HotCarriersEffect、ESD等問題 微光顯微鏡支持背面與正面雙向檢測，提高分析效率。

EMMI 技術自誕生以來，經歷了漫長且關鍵的發展歷程。早期的 EMMI 受限于探測器靈敏度與光學系統分辨率，只能檢測較為明顯的半導體缺陷，應用范圍相對狹窄。隨著科技的飛速進步，新型深制冷型探測器問世，極大降低了噪聲干擾，拓寬了光信號探測范圍；同時，高分辨率顯微物鏡的應用，使 EMMI 能夠捕捉到更微弱、更細微的光信號，實現對納米級缺陷的精細定位。如今，它已廣泛應用于半導體產業各個環節，從芯片設計驗證到大規模生產質量管控，成為推動行業發展的重要力量。微光顯微鏡為科研人員提供穩定可靠的成像數據支撐。鎖相微光顯微鏡與光學顯微鏡對比

微光顯微鏡提升了芯片工藝優化中的熱、電異常定位效率。半導體微光顯微鏡平臺

盡管名稱相似，微光顯微鏡 EMMI 與 Thermal EMMI 在探測機理和適用范圍上各有側重。Thermal EMMI 捕捉的是器件發熱產生的紅外輻射信號，而 EMMI 關注的是缺陷處的光子發射，這些光信號可能在溫升尚未***之前就已經出現。因此，在一些早期擊穿或亞穩態缺陷分析中，EMMI 能夠提供比 Thermal EMMI 更早、更直接的失效指示。實際應用中，工程師常將兩者結合使用：先用 EMMI 進行光發射定位，再用 Thermal EMMI 檢測其對應的熱分布，以交叉驗證缺陷性質。這種“光+熱”雙重驗證的方法，不僅提高了分析的準確性，也大幅縮短了故障定位的時間。半導體微光顯微鏡平臺