在芯片和電子器件的故障診斷過程中，精度往往決定了后續分析與解決的效率。傳統檢測方法雖然能夠大致鎖定問題范圍，但在高密度電路或納米級結構中，往往難以將缺陷精確定位到具體點位。微光顯微鏡憑借對微弱發光信號的高分辨率捕捉能力，實現了故障點的可視化。當器件因缺陷產生局部能量釋放時，這些信號極其微小且容易被環境噪聲淹沒，但微光顯微鏡能通過優化的光學系統和信號處理算法，將其清晰分離并呈現。相比傳統方法，微光顯微鏡的定位精度提升了一個數量級，縮短了排查時間，同時降低了誤判率。對于高性能芯片和關鍵器件而言，這種尤為重要，因為任何潛在缺陷都可能影響整體性能。微光顯微鏡的引入，使故障分析從“模糊排查”轉向“點對點定位”，為電子產業的可靠性提升提供了有力保障。依托高靈敏度紅外探測模塊，Thermal EMMI 可捕捉器件異常發熱區域釋放的微弱光子信號。國產微光顯微鏡

在利用顯微鏡發光技術對柵氧化層缺陷進行定位的失效分析中，薄氧化層的擊穿現象尤為關鍵。然而，當多晶硅與阱區的摻雜類型一致時，擊穿過程未必伴隨空間電荷區的形成，這使其發光機制更具復雜性。具體而言，當局部電流密度升高至一定閾值，會在失效區域形成明顯的電壓降，進而激發載流子在高場環境下發生散射發光，即產生光發射現象。這種發光通常位于顯微鏡檢測波段范圍內，能夠被高靈敏度探測器捕捉。值得注意的是，部分發光點存在不穩定性，可能在觀察過程中逐漸減弱甚至消失。這一現象的原因在于，局部電流密度持續升高可能導致擊穿區域發生微熔化，使局部結構損傷進一步擴大，形成更大面積的導電通道，電流密度因而下降，從而抑制了繼續發光的能力。廠家微光顯微鏡探測器晶體管短路時會產生異常光信號。

在致晟光電EMMI微光顯微鏡的成像中，背景被完全壓暗，缺陷位置呈現高亮發光斑點，形成極高的視覺對比度。公司研發團隊在圖像采集算法中引入了多幀累積與動態背景抑制技術，使得信號在極低亮度下仍能清晰顯現。該設備能夠捕捉納秒至毫秒級的瞬態光信號，適用于分析ESD擊穿、閂鎖效應、擊穿電流路徑等問題。與傳統顯微技術相比，致晟光電的系統不僅分辨率更高，還能結合鎖相模式進行時間相關分析，為失效機理判斷提供更多維度數據。這種成像優勢，使EMMI成為公司在半導體失效分析業務中相當有代表性的**產品之一。

與市場上同類產品相比，致晟光電的EMMI微光顯微鏡在靈敏度、穩定性和性價比方面具備優勢。得益于公司自主研發的實時圖像處理算法與暗噪聲抑制技術，設備在捕捉低功耗器件缺陷時依然能保持高清成像。同時，系統采用模塊化設計，方便與紅外熱成像、OBIRCH等其他分析手段集成，構建多模態失效分析平臺。這種技術組合不僅縮短了分析周期，也提升了檢測準確率。加之完善的售后與本地化服務，致晟光電在國內EMMI設備市場中已形成穩固的品牌影響力，為半導體企業提供從設備交付到技術支持的全鏈條服務。技術員依靠圖像快速判斷。

該設備搭載的 - 80℃深制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡形成黃金組合，從硬件層面確保了超高檢測靈敏度的穩定輸出。這種良好的性能使其能夠突破微光信號檢測的技術瓶頸，即便在微弱漏電流環境下，依然能捕捉到納米級的極微弱發光信號，將傳統設備難以識別的細微缺陷清晰呈現。作為半導體制造領域的關鍵檢測工具，它為質量控制與失效分析提供了可靠的解決方案：在生產環節，可通過實時監測提前發現潛在的漏電隱患，幫助企業從源頭把控產品質量；在失效分析階段，借助高靈敏度成像技術，能快速鎖定漏電缺陷的位置，并支持深度溯源分析，為工程師優化生產工藝提供精密的數據支撐。 微光顯微鏡可在極低照度下實現高靈敏成像，適用于半導體失效分析。紅外光譜微光顯微鏡與光學顯微鏡對比

二極管漏電會被顯微鏡捕捉。國產微光顯微鏡

偵測不到亮點之情況不會出現亮點之故障：1.亮點位置被擋到或遮蔽的情形（埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置）；2.歐姆接觸；3.金屬互聯短路；4.表面反型層；5.硅導電通路等。

亮點被遮蔽之情況：埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置，這種情況可采用Backside模式，但是只能探測近紅外波段的發光，且需要減薄及拋光處理。

測試范圍：故障點定位、尋找近紅外波段發光點測試內容：1.P-N接面漏電；P-N接面崩潰2.飽和區晶體管的熱電子3.氧化層漏電流產生的光子激發4.Latchup、GateOxideDefect、JunctionLeakage、HotCarriersEffect、ESD等問題 國產微光顯微鏡