致晟光電的EMMI微光顯微鏡已廣泛應(yīng)用于集成電路制造、封測(cè)、芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證等環(huán)節(jié)。在失效分析中，它可以快速鎖定ESD損傷點(diǎn)、漏電通道、局部短路以及工藝缺陷，從而幫助客戶(hù)在短時(shí)間內(nèi)完成問(wèn)題定位并制定改進(jìn)方案。在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，如3D-IC、Fan-out封裝，EMMI的非破壞檢測(cè)能力尤為重要，可在不影響器件結(jié)構(gòu)的情況下進(jìn)行檢測(cè)。致晟光電憑借靈活的系統(tǒng)定制能力，可根據(jù)不同企業(yè)需求調(diào)整探測(cè)波段、成像速度與臺(tái)面尺寸，為國(guó)內(nèi)外客戶(hù)提供定制化解決方案，助力提高產(chǎn)品可靠性與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。在復(fù)雜制程節(jié)點(diǎn)，微光顯微鏡能揭示潛在失效點(diǎn)。紅外光譜微光顯微鏡方案

在半導(dǎo)體器件失效分析過(guò)程中，如何在極低光照條件下準(zhǔn)確捕捉到缺陷信息，一直是工程師面臨的難題。傳統(tǒng)光學(xué)檢測(cè)設(shè)備在低照度環(huán)境下往往會(huì)出現(xiàn)噪聲高、成像模糊等問(wèn)題，導(dǎo)致缺陷難以被有效識(shí)別。微光顯微鏡正是針對(duì)這一需求而研發(fā)的，它通過(guò)高靈敏度探測(cè)器與優(yōu)化的光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，能夠在極低照度下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定而清晰的成像。對(duì)于芯片失效分析而言，電路內(nèi)部的微小漏電點(diǎn)或材料缺陷往往會(huì)釋放極為微弱的光信號(hào)，而微光顯微鏡可以將這些信號(hào)放大并呈現(xiàn)，從而幫助分析人員快速鎖定潛在問(wèn)題區(qū)域。借助該技術(shù)，不僅能夠提高分析效率，還能減少重復(fù)檢測(cè)和破壞性實(shí)驗(yàn)的需求，降低整體研發(fā)與維護(hù)成本。因此，微光顯微鏡在半導(dǎo)體失效分析中的應(yīng)用價(jià)值，正在不斷凸顯，并逐漸成為實(shí)驗(yàn)室和生產(chǎn)線(xiàn)的必備檢測(cè)工具。科研用微光顯微鏡儀器微光顯微鏡市場(chǎng)格局正在因國(guó)產(chǎn)力量而改變。

基于這些信息，可以初步判斷失效現(xiàn)象是否具有可重復(fù)性，并進(jìn)一步區(qū)分是由設(shè)計(jì)問(wèn)題、制程工藝偏差還是應(yīng)用不當(dāng)（如過(guò)壓、靜電沖擊）所引發(fā)。其次，電性能驗(yàn)證能為失效定位提供更加直觀的依據(jù)。通過(guò)自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）或探針臺(tái)（ProbeStation）對(duì)失效芯片進(jìn)行測(cè)試，復(fù)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)環(huán)境下的故障表現(xiàn)，并記錄關(guān)鍵參數(shù)，如電流-電壓曲線(xiàn)、漏電流以及閾值電壓的漂移。將這些數(shù)據(jù)與良品對(duì)照，可以縮小潛在失效區(qū)域的范圍，例如鎖定到某個(gè)功能模塊或局部電路。經(jīng)過(guò)這樣的準(zhǔn)備環(huán)節(jié)，整個(gè)失效分析過(guò)程能夠更有針對(duì)性，也更容易追溯問(wèn)題的本質(zhì)原因。

與 Thermal EMMI 熱紅外顯微鏡相比，EMMI 微光顯微鏡在分析由電性缺陷引發(fā)的微弱光發(fā)射方面更具優(yōu)勢(shì)，能夠?qū)崿F(xiàn)更高精度的缺陷定位；而熱紅外顯微鏡則更擅長(zhǎng)捕捉因功率耗散導(dǎo)致的局部溫升異常。在與掃描電子顯微鏡（SEM）的對(duì)比中，EMMI 無(wú)需真空環(huán)境，且屬于非破壞性檢測(cè)，但 SEM 在微觀形貌觀察的分辨率上更勝一籌。在實(shí)際失效分析中，這些技術(shù)往往互為補(bǔ)充——可先利用 EMMI 快速鎖定缺陷的大致區(qū)域，再借助 SEM 或 FIB 對(duì)目標(biāo)位置進(jìn)行精細(xì)剖析與結(jié)構(gòu)驗(yàn)證，從而形成完整的分析鏈路。
微光顯微鏡助力排查復(fù)雜電路。

在微光顯微鏡（EMMI）的操作過(guò)程中，對(duì)樣品施加適當(dāng)電壓時(shí)，其失效點(diǎn)會(huì)由于載流子加速散射或電子-空穴對(duì)復(fù)合效應(yīng)而發(fā)射特定波長(zhǎng)的光子。這些光子經(jīng)過(guò)光學(xué)采集與圖像處理后，可形成一張清晰的信號(hào)圖，用于反映樣品在供電狀態(tài)下的發(fā)光特征。隨后，通過(guò)取消施加在樣品上的電壓，在無(wú)電狀態(tài)下采集一張背景圖，用于記錄環(huán)境光和儀器噪聲。將信號(hào)圖與背景圖進(jìn)行疊加和差分處理，可以精確識(shí)別并定位發(fā)光點(diǎn)的位置，實(shí)現(xiàn)對(duì)失效點(diǎn)的高精度定位。為了進(jìn)一步提升定位精度，通常會(huì)結(jié)合多種圖像處理技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化。例如，可通過(guò)濾波算法有效去除背景噪聲，提高信號(hào)圖的信噪比；同時(shí)利用邊緣檢測(cè)技術(shù)，突出發(fā)光點(diǎn)的邊界特征，從而實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的定位與輪廓識(shí)別。借助這些方法，EMMI能夠?qū)Π雽?dǎo)體芯片、集成電路及微電子器件的失效點(diǎn)進(jìn)行精確分析，為故障排查、工藝優(yōu)化和設(shè)計(jì)改進(jìn)提供可靠依據(jù)，并提升失效分析的效率和準(zhǔn)確性。利用微光顯微鏡的高分辨率成像，能清晰分辨芯片內(nèi)部微小結(jié)構(gòu)的光子發(fā)射。非制冷微光顯微鏡技術(shù)參數(shù)

相較動(dòng)輒上千萬(wàn)的進(jìn)口設(shè)備，我們方案更親民。紅外光譜微光顯微鏡方案

微光顯微鏡(EmissionMicroscope,EMMI)是一種常用的芯片失效分析手段，可以用于確認(rèn)芯片的失效位置。其原理是對(duì)樣品施加適當(dāng)電壓，失效點(diǎn)會(huì)因加速載流子散射或電子-空穴對(duì)的復(fù)合而釋放特定波長(zhǎng)的光子，這時(shí)光子就能被檢測(cè)到，從而檢測(cè)到漏電位置。Obirch利用激光束在恒定電壓下的器件表面進(jìn)行掃描，激光束部分能量轉(zhuǎn)化為熱能，如果金屬互聯(lián)線(xiàn)存在缺陷，缺陷處溫度將無(wú)法迅速通過(guò)金屬線(xiàn)傳導(dǎo)散開(kāi)，這將導(dǎo)致缺陷處溫度累計(jì)升高，并進(jìn)一步引起金屬線(xiàn)電阻以及電流變化，通過(guò)變化區(qū)域與激光束掃描位置的對(duì)應(yīng)，定位缺陷位置。紅外光譜微光顯微鏡方案