漏電是芯片中另一類常見失效模式，其成因相對復雜，既可能與晶體管在長期運行中的老化退化有關，也可能源于氧化層裂紋或材料缺陷。與短路類似，當芯片內部出現漏電現象時，漏電路徑中會產生微弱的光發射信號，但其強度通常遠低于短路所引發的光輻射，因此對檢測設備的靈敏度提出了較高要求。

微光顯微鏡（EMMI）依靠其高靈敏度的光探測能力，能夠捕捉到這些極微弱的光信號，并通過全域掃描技術對芯片進行系統檢測。在掃描過程中，漏電區域能夠以可視化圖像的形式呈現，清晰顯示其空間分布和熱學特征。

工程師可以根據這些圖像信息，直觀判斷漏電位置及可能涉及的功能模塊，為后續的失效分析和工藝優化提供依據。通過這種方法，微光顯微鏡不僅能夠發現傳統電性測試難以捕捉的微小異常，還為半導體器件的可靠性評估和設計改進提供了重要支持，有助于提高芯片整體性能和使用壽命。 憑借高增益相機，微光顯微鏡可敏銳檢測半導體因缺陷釋放的特定波長光子。低溫熱微光顯微鏡范圍

芯片制造工藝復雜，從設計到量產的各個環節都可能出現缺陷。失效分析作為測試流程的重要部分，能攔截不合格產品并追溯問題根源。微光顯微鏡憑借高靈敏度的光子探測技術，可捕捉芯片內部因漏電、熱失控等產生的微弱發光信號，定位微米級甚至納米級的缺陷。這能幫助企業快速找到問題，無論是設計中的邏輯漏洞，還是制造時的材料雜質、工藝偏差，都能及時發現。據此，企業可針對性優化生產工藝、改進設計方案，從而提升芯片良率。在芯片制造成本較高的當下，良率提升能降低生產成本，讓企業在價格競爭中更有優勢。紅外光譜微光顯微鏡范圍高昂的海外價格，讓國產替代更具競爭力。

在電子器件和半導體元件的檢測環節中，如何在不損壞樣品的情況下獲得可靠信息，是保證研發效率和產品質量的關鍵。傳統分析手段，如剖片、電鏡掃描等，雖然能夠提供一定的內部信息，但往往具有破壞性，導致樣品無法重復使用。微光顯微鏡在這一方面展現出明顯優勢，它通過非接觸的光學檢測方式實現缺陷定位與信號捕捉，不會對樣品結構造成物理損傷。這一特性不僅能夠減少寶貴樣品的損耗，還使得測試過程更具可重復性，工程師可以在不同實驗條件下多次觀察同一器件的表現，從而獲得更的數據。尤其是在研發階段，樣品數量有限且成本高昂，微光顯微鏡的非破壞性檢測特性大幅提升了實驗經濟性和數據完整性。因此，微光顯微鏡在半導體、光電子和新材料等行業，正逐漸成為標準化的檢測工具，其價值不僅體現在成像性能上，更在于對研發與生產效率的整體優化。

致晟光電的EMMI微光顯微鏡已廣泛應用于集成電路制造、封測、芯片設計驗證等環節。在失效分析中，它可以快速鎖定ESD損傷點、漏電通道、局部短路以及工藝缺陷，從而幫助客戶在短時間內完成問題定位并制定改進方案。在先進封裝領域，如3D-IC、Fan-out封裝，EMMI的非破壞檢測能力尤為重要，可在不影響器件結構的情況下進行檢測。致晟光電憑借靈活的系統定制能力，可根據不同企業需求調整探測波段、成像速度與臺面尺寸，為國內外客戶提供定制化解決方案，助力提高產品可靠性與市場競爭力。晶體管短路時會產生異常光信號。

在半導體市場競爭日益激烈的當下，產品質量與可靠性成為企業立足的根本。EMMI （微光顯微鏡）作為先進的檢測工具，深刻影響著市場格局。半導體行業企業通過借助 EMMI 能在研發階段快速定位芯片設計缺陷，縮短產品開發周期；在生產環節，高效篩選出有潛在質量問題的產品，減少售后故障風險。那些率先采用 EMMI 并將其融入質量管控體系的企業，能夠以更好、有品質的產品贏得客戶信賴，在市場份額爭奪中搶占先機，促使行業整體質量標準不斷提升。微光顯微鏡可在極低照度下實現高靈敏成像，適用于半導體失效分析。低溫熱微光顯微鏡按需定制

微光顯微鏡支持多光譜成像，拓寬了研究維度。低溫熱微光顯微鏡范圍

EMMI 的技術基于半導體物理原理，當半導體器件內部存在缺陷導致異常電學行為時，會引發電子 - 空穴對的復合，進而產生光子發射。設備中的高靈敏度探測器如同敏銳的 “光子獵手”，能將這些微弱的光信號捕獲。例如，在制造工藝中，因光刻偏差或蝕刻過度形成的微小短路，傳統檢測手段難以察覺，EMMI 卻能憑借其對光子的探測，將這類潛在問題清晰暴露，助力工程師快速定位，及時調整工藝參數，避免大量不良品的產生，極大提升了半導體制造的良品率與生產效率。低溫熱微光顯微鏡范圍