熱紅外顯微鏡（ThermalEMMI）的另一大優勢在于其非接觸式檢測能力，相較于傳統接觸式方法具有優勢。傳統接觸式檢測通常需要使用探針直接接觸被測設備，這不僅可能因機械壓力導致芯片焊點形變或線路微損傷，還可能因靜電放電（ESD）對敏感半導體器件造成破壞，從而引入額外風險和測量誤差。對于精密電子元件和高精度設備而言，這種潛在損傷可能嚴重影響檢測結果的可靠性。

熱紅外顯微鏡通過捕捉設備在運行過程中釋放的熱輻射信號，實現完全非侵入式的檢測。這不僅能夠在設備正常工作狀態下獲取實時熱分布數據，還有效避免了接觸帶來的干擾或損傷，提高了整個檢測流程的安全性和穩定性。工程師可以依靠這些高保真數據進行精確故障診斷、性能評估以及早期異常識別，從而優化研發與生產流程。非接觸式的技術優勢，使熱紅外顯微鏡成為半導體芯片、微電子系統及精密印制電路板等電子組件檢測的理想選擇，為現代電子產業提供了更安全、高效和可靠的分析手段。 熱紅外顯微鏡成像：支持三維熱成像重構，通過分層掃描樣品不同深度，生成立體熱分布模型。直銷熱紅外顯微鏡用途

從工作原理來看，紅外探測器可分為熱探測器與光電探測器兩大類。熱探測器利用熱電效應，將入射紅外輻射引起的溫度變化通過熱電偶轉化為電壓信號，典型**包括熱電堆、熱電探測器和熱輻射計等；光電探測器則依靠光電效應，將紅外光子直接轉化為電信號，具有響應速度快、靈敏度高的特點。從材料類型來看，紅外探測器又可分為非制冷型與制冷型兩類。非制冷型以氧化釩、非晶硅等為**，主要基于紅外輻射的熱效應工作，結構簡單、成本較**冷型則以MCT（碲鎘汞）、InSb（銻化銦）、T2SL（Ⅱ類超晶格）等材料為主，依靠光電效應實現高靈敏度探測，適用于高精度、長波長及弱信號的紅外成像與測量需求。 半導體失效分析熱紅外顯微鏡方案設計Thermal EMMI 通過對比正常與失效器件的熱光子圖譜，界定熱致失效機理。

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進的非破壞性檢測技術，廣泛應用于電子設備和半導體器件的精細故障定位。它能夠在不干擾或破壞被測對象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態下釋放的微弱熱輻射和光信號，為工程師提供可靠的故障診斷和性能分析依據。尤其在復雜集成電路、高性能半導體器件以及精密印制電路板（PCB）的檢測中，ThermalEMMI能夠迅速識別異常發熱或發光區域，這些區域通常與潛在缺陷、設計不足或性能問題密切相關。通過對這些熱點的精確定位，研發和測試人員可以深入分析失效原因，指導工藝改進或芯片優化，從而提升產品可靠性和穩定性。此外，ThermalEMMI的非接觸式測量特點使其能夠在芯片研發、量產檢測和終端應用過程中實現連續監測，為工程師提供高效、精細的分析工具，加速問題排查和產品優化流程，成為現代電子檢測與失效分析的重要技術支撐。

致晟光電研發的熱紅外顯微鏡配置了性能優異的InSb（銦銻）探測器，能夠在中波紅外波段（3–5 μm）有效捕捉熱輻射信號。該材料在光電轉換方面表現突出，同時具備極低的本征噪聲。

在制冷條件下，探測器實現了納瓦級的熱靈敏度，并具備20mK以內的溫度分辨能力，非常適合高精度、非接觸式的熱成像測量需求。通過應用于顯微級熱紅外檢測系統，該探測器能夠提升空間分辨率，達到微米級別，并保持良好的溫度響應線性，從而為半導體器件及微電子系統中的局部發熱、熱量擴散與瞬態熱現象提供細致表征。與此同時，致晟光電在光學與熱控方面的自主設計也發揮了重要作用。

高數值孔徑的光學系統與穩定的熱控平臺相結合，使InSb探測器能夠在多物理場耦合的復雜環境中實現高時空分辨的熱場成像，為電子器件失效機理研究、電熱效應分析及新型材料熱學性能測試提供了可靠的工具與支持。 熱紅外顯微鏡原理遵循黑體輻射規律，通過對比樣品與標準黑體的輻射強度，計算樣品實際溫度。

在半導體 IC 裸芯片研究與檢測中，熱紅外顯微鏡是一項重要工具。裸芯片結構緊湊、集成度高，即便出現輕微熱異常，也可能影響性能甚至導致失效，因此有效的熱檢測十分必要。熱紅外顯微鏡以非接觸方式完成熱分布成像，能夠直觀呈現芯片在運行中的溫度變化。通過對局部熱點的識別，可發現電路設計缺陷、電流集中或器件老化等問題，幫助工程師在早期階段進行調整與優化。此外，該設備還能測量半導體結點的結溫，結溫水平直接關系到器件的穩定性與壽命。依托較高分辨率的成像能力，熱紅外顯微鏡既能提供結溫的準確數據，也為散熱方案的制定和芯片性能提升提供了可靠依據。致晟光電是一家國產失效分析設備制造商，其在、有兩項技術：Thermal 熱紅外顯微鏡 和 EMMI 微光顯微鏡。制冷熱紅外顯微鏡品牌

在半導體行業高度集成化趨勢加速、制程工藝持續突破的當下，熱紅外顯微鏡是失效分析領域得力工具。直銷熱紅外顯微鏡用途

在失效分析中，Thermal EMMI 并不是孤立使用的工具，而是與電性測試、掃描聲學顯微鏡（CSAM）、X-ray、FIB 等技術形成互補。通常，工程師會先通過電性測試確認失效模式，再用 Thermal EMMI 在通電條件下定位熱點區域。鎖定區域后，可使用 FIB 進行局部開窗或切片，進一步驗證缺陷形貌。這種“先定位、再剖片”的策略，不僅提高了分析效率，也降低了因盲剖帶來的風險。Thermal EMMI 在這一配合體系中的價值，正是用**快速、比較低損的方法縮小分析范圍，讓后續的精細分析事半功倍。直銷熱紅外顯微鏡用途