致晟光電熱紅外顯微鏡采用高性能 InSb（銦銻）探測器，用于中波紅外波段（3–5 μm）熱輻射信號的高精度捕捉。InSb 材料具備優異的光電轉換效率和極低本征噪聲，在制冷條件下可實現 nW 級熱靈敏度與優于 20 mK 的溫度分辨率，支持高精度、非接觸式熱成像分析。該探測器在熱紅外顯微系統中的應用，不僅提升了空間分辨率（可達微米量級）與溫度響應線性度，還能對半導體器件和微電子系統中的局部發熱缺陷、熱點遷移及瞬態熱行為進行精細刻畫。結合致晟光電自主研發的高數值孔徑光學系統與穩態熱控平臺，InSb 探測器可在多物理場耦合環境下實現高時空分辨的熱場成像，是先進電子器件失效分析、電熱耦合機理研究以及材料熱特性評估中的前沿技術。針對射頻芯片，Thermal EMMI 可捕捉高頻工作時的局部熱耗異常，輔助性能優化。半導體微光顯微鏡廠家電話

微光紅外顯微儀是一種高靈敏度的失效分析設備，可在非破壞性條件下，對封裝器件及芯片的多種失效模式進行精細檢測與定位。其應用范圍涵蓋：芯片封裝打線缺陷及內部線路短路、介電層（Oxide）漏電、晶體管和二極管漏電、TFT LCD面板及PCB/PCBA金屬線路缺陷與短路、ESD閉鎖效應、3D封裝（Stacked Die）失效點深度（Z軸）預估、低阻抗短路（＜10 Ω）問題分析，以及芯片鍵合對準精度檢測。相比傳統方法，微光紅外顯微儀無需繁瑣的去層處理，能夠通過檢測器捕捉異常輻射信號，快速鎖定缺陷位置，大幅縮短分析時間，降低樣品損傷風險，為半導體封裝測試、產品質量控制及研發優化提供高效可靠的技術手段。紅外光譜微光顯微鏡應用在失效分析實驗室，微光顯微鏡已成為標配工具。

在電性失效分析領域，微光顯微鏡 EMMI 常用于檢測擊穿通道、漏電路徑以及器件早期退化區域。芯片在高壓或大電流應力下運行時，這些缺陷部位會產生局部光發射，而正常區域則保持暗場狀態。EMMI 能夠在器件正常封裝狀態下直接進行非接觸式觀測，快速定位失效點，無需拆封或破壞結構。這種特性在 BGA 封裝、多層互連和高集成度 SoC 芯片的分析中尤其重要，因為它能在復雜的布線網絡中精細鎖定問題位置。此外，EMMI 還可與電性刺激系統聯動，實現不同工作模式下的動態成像，從而揭示缺陷的工作條件依賴性，幫助工程師制定更有針對性的設計優化或工藝改進方案。

Thermal和EMMI是半導體失效分析中常用的兩種定位技術，主要區別在于信號來源和應用場景不同。Thermal（熱紅外顯微鏡）通過紅外成像捕捉芯片局部發熱區域，適用于分析短路、功耗異常等因電流集中引發溫升的失效現象，響應快、直觀性強。而EMMI（微光顯微鏡）則依賴芯片在失效狀態下產生的微弱自發光信號進行定位，尤其適用于分析ESD擊穿、漏電等低功耗器件中的電性缺陷。相較之下，Thermal更適合熱量明顯的故障場景，而EMMI則在熱信號不明顯但存在異常電性行為時更具優勢。實際分析中，兩者常被集成使用，相輔相成，以實現失效點定位和問題判斷。微光顯微鏡在IC封裝檢測中展現出高對比度成像優勢。

EMMI 的技術基于半導體物理原理，當半導體器件內部存在缺陷導致異常電學行為時，會引發電子 - 空穴對的復合，進而產生光子發射。設備中的高靈敏度探測器如同敏銳的 “光子獵手”，能將這些微弱的光信號捕獲。例如，在制造工藝中，因光刻偏差或蝕刻過度形成的微小短路，傳統檢測手段難以察覺，EMMI 卻能憑借其對光子的探測，將這類潛在問題清晰暴露，助力工程師快速定位，及時調整工藝參數，避免大量不良品的產生，極大提升了半導體制造的良品率與生產效率。借助微光顯微鏡，研發團隊能快速實現缺陷閉環驗證。低溫熱微光顯微鏡功能

Thermal EMMI 無需破壞封裝，對芯片進行無損檢測，有效定位 PN 結熱漏電故障。半導體微光顯微鏡廠家電話

該設備搭載的 - 80℃深制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡形成黃金組合，從硬件層面確保了超高檢測靈敏度的穩定輸出。這種良好的性能使其能夠突破微光信號檢測的技術瓶頸，即便在微弱漏電流環境下，依然能捕捉到納米級的極微弱發光信號，將傳統設備難以識別的細微缺陷清晰呈現。作為半導體制造領域的關鍵檢測工具，它為質量控制與失效分析提供了可靠的解決方案：在生產環節，可通過實時監測提前發現潛在的漏電隱患，幫助企業從源頭把控產品質量；在失效分析階段，借助高靈敏度成像技術，能快速鎖定漏電缺陷的位置，并支持深度溯源分析，為工程師優化生產工藝提供精密的數據支撐。 半導體微光顯微鏡廠家電話