本技術(shù)通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)上述目的:一種印刷品膠面印刷剝離復(fù)合裝置,包括主支撐架、橫向支架、伺服變頻電機(jī)、電機(jī)減速箱、印刷品放置箱、表面印刷結(jié)構(gòu)、膠面剝離結(jié)構(gòu),所述主支撐架上方設(shè)置有所述橫向支架,所述橫向支架上方設(shè)置有所述伺服變頻電機(jī),所述伺服變頻電機(jī)上方設(shè)置有所述電機(jī)減速箱,所述電機(jī)減速箱上方安裝有印刷品傳送帶,所述印刷品傳送帶一側(cè)安裝有所述印刷品放置箱,所述印刷品放置箱一側(cè)安裝有所述表面印刷結(jié)構(gòu),所述表面印刷結(jié)構(gòu)上方設(shè)置有油墨放置箱,所述油墨放置箱下方安裝有油墨加壓器,所述油墨加壓器下方安裝有高壓噴頭,所述高壓噴頭一側(cè)安裝有防濺射擋板。蘇州剝離液哪家好?;廣州銅鈦蝕刻液剝離液私人定做
本發(fā)明采用一種選擇性剝離制備微納結(jié)構(gòu)的新方法,可制備出任意負(fù)性光刻膠所能制備的任意圖形且加工效率比傳統(tǒng)的加工方法提高了上萬倍(以直徑為105nm的結(jié)構(gòu)為例),特別是為跨尺度結(jié)構(gòu)的加工,為光學(xué)領(lǐng)域,電學(xué)領(lǐng)域,聲學(xué)領(lǐng)域,生物領(lǐng)域,mem制造,nems制造,集成電路等領(lǐng)域提供了一種新的解決方案。本發(fā)明的技術(shù)方案如下:一種選擇性剝離光刻膠制備微納結(jié)構(gòu)的方法,包括以下步驟:步驟一、提供襯底,并清洗;步驟二、對(duì)襯底進(jìn)行修飾降低光刻膠與襯底的粘附力;步驟三、襯底上旋涂光刻膠得到薄膜;步驟四、在光刻膠上加工出所需結(jié)構(gòu)的輪廓;所述所需結(jié)構(gòu)包括若干**單元,**單元外周形成有閉合的縫隙;步驟五、在光刻膠上覆蓋一層黏貼層;步驟六、自所需結(jié)構(gòu)以外的光刻膠的邊沿處揭開黏貼層,黏貼層將所需結(jié)構(gòu)以外的光刻膠粘走,留下所需結(jié)構(gòu)即襯底上留下的微納結(jié)構(gòu);黏貼層與光刻膠的粘附力a大于光刻膠與襯底的粘附力b。進(jìn)一步的改進(jìn),在供體襯底表面修飾光刻膠抗粘層為高溫氣體修飾法或抽真空氣體修飾法;高溫氣體修飾法包括如下步驟:將襯底和光刻膠抗粘劑置于密閉空間中,其中,密閉空間的溫度控制在60℃-800℃之間,保溫1分鐘以上,直接取出襯底。嘉興銅蝕刻液剝離液供應(yīng)哪家剝離液質(zhì)量比較好一點(diǎn)?
本發(fā)明涉及化學(xué)制劑技術(shù)領(lǐng)域:,特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術(shù)::隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)以及立體封裝技術(shù)的不斷發(fā)展,電子器件和電子產(chǎn)品對(duì)多功能化和微型化的要求越來越高。在這種小型化趨勢的推動(dòng)下,要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術(shù)的封裝體積小,立體空間大,引線距離短,信號(hào)傳輸快,所以能夠更好地實(shí)現(xiàn)封裝的微型化。晶圓疊層是3d疊層封裝的一種形式。疊層晶圓在制造的過程中會(huì)對(duì)**外層的晶圓表面進(jìn)行顯影蝕刻,當(dāng)中會(huì)用到光刻膠剝離液。
本發(fā)明下述示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來實(shí)施,并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是,提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整,并且將這些示例性具體實(shí)施例的技術(shù)方案充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。如圖1所示,本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法主要實(shí)施例,用于半導(dǎo)體制造工藝中,可應(yīng)用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟,主要包括以下步驟:s1,在半導(dǎo)體襯底上淀積介質(zhì)層;s2,旋涂光刻膠并曝光顯影,形成光刻圖形阻擋層;s3,執(zhí)行離子注入:s4,采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕,對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離;s5,對(duì)襯底表面進(jìn)行清洗。本發(fā)明刻膠剝離去除方法主要實(shí)施例采用能與主要光刻膠層和第二光刻膠層反應(yīng)生成含氨揮發(fā)性化合物氣體,與主要光刻膠層和第二光刻膠層反應(yīng)速率相等的等離子體氮?dú)浠旌蠚怏w能更高效的剝離去除光刻膠,有效降低光刻膠殘留。進(jìn)而避免由于光刻膠殘留造成對(duì)后續(xù)工藝的影響,提高產(chǎn)品良率。參考圖11和圖12所示,在生產(chǎn)線上采用本發(fā)明的光刻膠剝離去除方法后,監(jiān)控晶圓產(chǎn)品缺陷由585顆降低到32顆,證明本發(fā)明光刻膠剝離去除方法的的改善的產(chǎn)品缺陷,促進(jìn)了產(chǎn)品良率的提升。剝離液,高效去除光刻膠,不留痕跡。
隨著國內(nèi)電子制造產(chǎn)業(yè)和光電產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,光刻膠剝離液等電子化學(xué)品的使用量也大為増加。特別是縱觀近幾年度的光電行業(yè),風(fēng)靡全球的智能手持設(shè)備、移動(dòng)終端等簡直成為了光電行業(yè)的風(fēng)向標(biāo):與之相關(guān)的光電領(lǐng)域得到了飛速的發(fā)展,鏡頭模組、濾光片、LTPS液晶顯示面板、觸摸屏幕、傳感器件等等。而光電行業(yè)的其他領(lǐng)域,雖然也有增長,但是遠(yuǎn)不及與智能手持設(shè)備相關(guān)的光電領(lǐng)域。工業(yè)上所使用的剝離液主要是有機(jī)胺和極性有機(jī)溶劑的組合物,通過溶脹和溶解方式剝離除去光刻膠。上述有機(jī)胺可包括單乙醇胺(MEA),二甲基乙酰胺(DMAC),N-甲基甲酰胺(NMF),N-甲基ニ乙醇胺(MDEA)等。上述極性有機(jī)溶劑可包括二乙二醇甲醚(DGME),二乙二醇單丁醚(BDG),二甲亞砜(DMS0),羥乙基哌嗪(NEP)等。由于LCD液晶屏具有體積小、質(zhì)量輕、清晰度高、圖像色彩好等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)中,按目前使用的液晶電視、電腦顯示屏等生命周期為6-8年計(jì)算,未來隨著年代的更替,LCD的生產(chǎn)量液將會(huì)增加,從而導(dǎo)致剝離液的使用量也大量增加,剝離液大量使用的同時(shí)也產(chǎn)生大量剝離液廢液。剝離液廢液中除了含有少量高分子樹脂和光敏劑外。友達(dá)光電用的哪家的剝離液?蘇州市面上哪家剝離液按需定制
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在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的種結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的工作方法的流程示意圖。具體實(shí)施方式目前剝離液機(jī)臺(tái)在工作時(shí),如果過濾剝離光阻時(shí)產(chǎn)生的薄膜碎屑的過濾器被阻塞,則需要?jiǎng)冸x液機(jī)臺(tái)內(nèi)的所有工作單元,待被阻塞的過濾器被清理后,才能重新進(jìn)行剝離制程,使得機(jī)臺(tái)需頻繁停線以更換過濾器,極大的降低了生產(chǎn)效率。請(qǐng)參閱圖1,圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的過濾液機(jī)臺(tái)100的種結(jié)構(gòu)示意圖。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種剝離液機(jī)臺(tái)100,包括:依次順序排列的多級(jí)腔室10、每一級(jí)所述腔室10對(duì)應(yīng)連接一存儲(chǔ)箱20;過濾器30,所述過濾器30的一端設(shè)置通過管道40與當(dāng)前級(jí)腔室101對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱20連接,所述過濾器30的另一端通過第二管道50與下一級(jí)腔室102連接;其中,至少在管道40或所述第二管道50上設(shè)置有閥門開關(guān)60。廣州銅鈦蝕刻液剝離液私人定做