微光紅外顯微儀是一種高靈敏度的失效分析設備，可在非破壞性條件下，對封裝器件及芯片的多種失效模式進行精細檢測與定位。其應用范圍涵蓋：芯片封裝打線缺陷及內(nèi)部線路短路、介電層（Oxide）漏電、晶體管和二極管漏電、TFT LCD面板及PCB/PCBA金屬線路缺陷與短路、ESD閉鎖效應、3D封裝（Stacked Die）失效點深度（Z軸）預估、低阻抗短路（＜10 Ω）問題分析，以及芯片鍵合對準精度檢測。相比傳統(tǒng)方法，微光紅外顯微儀無需繁瑣的去層處理，能夠通過檢測器捕捉異常輻射信號，快速鎖定缺陷位置，大幅縮短分析時間，降低樣品損傷風險，為半導體封裝測試、產(chǎn)品質量控制及研發(fā)優(yōu)化提供高效可靠的技術手段。Thermal 熱紅外顯微鏡屬于光學失效定位中的一種，用于捕捉器件中因失效產(chǎn)生的微弱 / 隱性熱信號。非制冷熱紅外顯微鏡聯(lián)系人

RTTLITP20熱紅外顯微鏡通過多元化的光學物鏡配置，構建起從宏觀到納米級的全尺度熱分析能力，靈活適配多樣化的檢測需求。Micro廣角鏡頭可快速覆蓋整塊電路板、大型模組等大尺寸樣品，直觀呈現(xiàn)整體熱分布與散熱趨勢，助力高效完成初步篩查；0.13～0.3X變焦鏡頭支持連續(xù)倍率調節(jié)，適用于芯片封裝體、傳感器陣列等中尺度器件，兼顧整體熱場和局部細節(jié)；0.65X～0.75X變焦鏡頭進一步提升分辨率，清晰解析芯片內(nèi)部功能單元的熱交互過程，精細定位封裝中的散熱瓶頸；3X～4X變焦鏡頭可深入微米級結構，解析晶體管陣列、引線鍵合點等細節(jié)部位的熱行為；8X～13X變焦鏡頭則聚焦納米尺度，捕捉短路點、漏電流區(qū)域等極其微弱的熱信號，滿足先進制程下的高精度失效定位需求。制冷熱紅外顯微鏡探測器熱紅外顯微鏡原理中，紅外濾光片可篩選特定波長的紅外輻射，針對性觀測樣品特定熱輻射特性。

致晟光電在推進產(chǎn)學研一體化進程中，積極開展多層次校企合作。公司依托南京理工大學光電技術學院，專注于微弱光電信號分析相關產(chǎn)品及應用的研發(fā)。雙方聯(lián)合攻克技術難題，不斷優(yōu)化實時瞬態(tài)鎖相紅外熱分析系統(tǒng)（RTTLIT），使其溫度靈敏度達到0.0001℃，功率檢測限低至1μW，部分性能指標在特定功能上已超過進口設備。

除了與南京理工大學的緊密合作外，致晟光電還與多所高校建立了協(xié)作關系，搭建起學業(yè)與就業(yè)貫通的人才孵化平臺。平臺覆蓋研發(fā)設計、生產(chǎn)實踐、項目管理等全鏈條，為學生提供系統(tǒng)化的實踐鍛煉機會，培養(yǎng)出大量具備實際操作能力的專業(yè)人才，為企業(yè)創(chuàng)新發(fā)展注入源源動力。同時，公司通過建立科研成果產(chǎn)業(yè)孵化綠色通道，使高校前沿科研成果能夠快速轉化為實際生產(chǎn)力，實現(xiàn)科研資源與企業(yè)市場轉化能力的有效結合，推動產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新邁上新臺階。

熱點區(qū)域對應高溫部位，可能是發(fā)熱源或故障點；等溫線連接溫度相同點，直觀呈現(xiàn)溫度梯度與熱量傳導規(guī)律。

當前市面上多數(shù)設備受限于紅外波長及探測器性能，普遍存在熱點分散、噪點繁多的問題，直接導致發(fā)熱區(qū)域定位偏差、圖像對比度與清晰度下降，嚴重影響溫度分布判斷的準確性。

而我方設備優(yōu)勢明顯：抗干擾能力強，可有效削弱外界環(huán)境及內(nèi)部器件噪聲干擾，確保圖像穩(wěn)定可靠；等溫線清晰銳利，能圈定溫度相同區(qū)域，便于快速掌握溫度梯度與熱傳導路徑，大幅提升熱特性分析精度；成像效果大幅升級，具備更高的空間分辨率、溫度分辨率及對比度，細微細節(jié)清晰可辨，為深度分析提供高質量圖像支撐。 紅外顯微鏡系統(tǒng)(Thermal Emission microscopy system)，是半導體失效分析和缺陷檢測的常用的三大手段之一。

紅外線介于可見光和微波之間，波長范圍0.76~1000μm。凡是高于jd零度(0 K，即-273.15℃)的物質都可以產(chǎn)生紅外線，也叫黑體輻射。

由于紅外肉眼不可見，要察覺這種輻射的存在并測量其強弱離不開紅外探測器。1800年英國天文學家威廉·赫胥爾發(fā)現(xiàn)了紅外線，隨著后續(xù)對紅外技術的不斷研究以及半導體技術的發(fā)展，紅外探測器得到了迅猛的發(fā)展，先后出現(xiàn)了硫化鉛(PbS)、碲化鉛(PbTe)、銻化銦(InSb)、碲鎘汞(HgCdTe，簡稱MCT)、銦鎵砷(InGaAs)、量子阱(QWIP)、二類超晶格(type-II superlattice，簡稱T2SL)、量子級聯(lián)(QCD)等不同材料紅外探測器等 失效分析已成為貫穿產(chǎn)業(yè)鏈從研發(fā)設計到量產(chǎn)交付全程的 “關鍵防線”。高分辨率熱紅外顯微鏡備件

熱紅外顯微鏡可用于研究電子元件在不同環(huán)境下的熱行為 。非制冷熱紅外顯微鏡聯(lián)系人

熱紅外顯微鏡是半導體失效分析與缺陷定位的三大主流手段之一（EMMI、THERMAL、OBIRCH），通過捕捉故障點產(chǎn)生的異常熱輻射，實現(xiàn)精細定位。存在缺陷或性能退化的器件通常表現(xiàn)為局部功耗異常，導致微區(qū)溫度升高。顯微熱分布測試系統(tǒng)結合熱點鎖定技術，能夠高效識別這些區(qū)域。熱點定位是一種動態(tài)紅外熱成像方法，通過調節(jié)電壓提升分辨率與靈敏度，并借助算法優(yōu)化信噪比。在集成電路（IC）分析中，該技術廣泛應用于定位短路、ESD損傷、缺陷晶體管、二極管失效及閂鎖問題等關鍵故障。非制冷熱紅外顯微鏡聯(lián)系人