在電性失效分析領域，微光顯微鏡 EMMI 常用于檢測擊穿通道、漏電路徑以及器件早期退化區域。芯片在高壓或大電流應力下運行時，這些缺陷部位會產生局部光發射，而正常區域則保持暗場狀態。EMMI 能夠在器件正常封裝狀態下直接進行非接觸式觀測，快速定位失效點，無需拆封或破壞結構。這種特性在 BGA 封裝、多層互連和高集成度 SoC 芯片的分析中尤其重要，因為它能在復雜的布線網絡中精細鎖定問題位置。此外，EMMI 還可與電性刺激系統聯動，實現不同工作模式下的動態成像，從而揭示缺陷的工作條件依賴性，幫助工程師制定更有針對性的設計優化或工藝改進方案。在半導體可靠性測試中，Thermal EMMI 能快速識別因過應力導致的局部熱失控缺陷。低溫熱微光顯微鏡內容

在微光顯微鏡（EMMI）的操作過程中，對樣品施加適當電壓時，其失效點會由于載流子加速散射或電子-空穴對復合效應而發射特定波長的光子。這些光子經過光學采集與圖像處理后，可形成一張清晰的信號圖，用于反映樣品在供電狀態下的發光特征。隨后，通過取消施加在樣品上的電壓，在無電狀態下采集一張背景圖，用于記錄環境光和儀器噪聲。將信號圖與背景圖進行疊加和差分處理，可以精確識別并定位發光點的位置，實現對失效點的高精度定位。為了進一步提升定位精度，通常會結合多種圖像處理技術進行優化。例如，可通過濾波算法有效去除背景噪聲，提高信號圖的信噪比；同時利用邊緣檢測技術，突出發光點的邊界特征，從而實現更精細的定位與輪廓識別。借助這些方法，EMMI能夠對半導體芯片、集成電路及微電子器件的失效點進行精確分析，為故障排查、工藝優化和設計改進提供可靠依據，并提升失效分析的效率和準確性。國產微光顯微鏡方案依托高靈敏度紅外探測模塊，Thermal EMMI 可捕捉器件異常發熱區域釋放的微弱光子信號。

對于半導體研發工程師而言，排查失效問題往往是一場步步受阻的過程。在逐一排除外圍電路異常、生產工藝缺陷等潛在因素后，若仍無法定位問題根源，往往需要依賴芯片原廠介入，借助剖片分析手段深入探查芯片內核。然而現實中，由于缺乏專業的失效分析設備，再加之芯片內部設計牽涉大量專有與保密信息，工程師很難真正理解其底層構造。這種信息不對稱，使得他們在面對原廠出具的分析報告時，往往陷入“被動接受”的困境——既難以驗證報告中具體結論的準確性，也難以基于自身判斷提出更具針對性的質疑或補充分析路徑。

Thermal（熱分析/熱成像）指的是通過紅外熱成像（如ThermalEMMI或熱紅外顯微鏡）等方式，檢測芯片發熱異常的位置。通常利用的是芯片在工作時因電流泄漏或短路而產生的局部溫升。常用于分析如：漏電、短路、功耗異常等問題。EMMI（光發射顯微成像EmissionMicroscopy）是利用芯片在失效時（如PN結擊穿、漏電）會產生微弱的光發射現象（多為近紅外光），通過光電探測器捕捉這類自發光信號來確定失效點。更敏感于電性失效，如ESD擊穿、閂鎖等。微光顯微鏡可在極低照度下實現高靈敏成像，適用于半導體失效分析。

該設備搭載的 - 80℃深制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡形成黃金組合，從硬件層面確保了超高檢測靈敏度的穩定輸出。這種良好的性能使其能夠突破微光信號檢測的技術瓶頸，即便在微弱漏電流環境下，依然能捕捉到納米級的極微弱發光信號，將傳統設備難以識別的細微缺陷清晰呈現。作為半導體制造領域的關鍵檢測工具，它為質量控制與失效分析提供了可靠的解決方案：在生產環節，可通過實時監測提前發現潛在的漏電隱患，幫助企業從源頭把控產品質量；在失效分析階段，借助高靈敏度成像技術，能快速鎖定漏電缺陷的位置，并支持深度溯源分析，為工程師優化生產工藝提供精密的數據支撐。 微光顯微鏡通過圖像處理疊加信號圖與背景圖，精確定位發光點位置。無損微光顯微鏡設備

微光顯微鏡助力排查復雜電路。低溫熱微光顯微鏡內容

EMMI 技術自誕生以來，經歷了漫長且關鍵的發展歷程。早期的 EMMI 受限于探測器靈敏度與光學系統分辨率，只能檢測較為明顯的半導體缺陷，應用范圍相對狹窄。隨著科技的飛速進步，新型深制冷型探測器問世，極大降低了噪聲干擾，拓寬了光信號探測范圍；同時，高分辨率顯微物鏡的應用，使 EMMI 能夠捕捉到更微弱、更細微的光信號，實現對納米級缺陷的精細定位。如今，它已廣泛應用于半導體產業各個環節，從芯片設計驗證到大規模生產質量管控，成為推動行業發展的重要力量。低溫熱微光顯微鏡內容