Thermal EMMI（Thermal Emission Microscopy）是一種利用半導體器件在工作過程中微弱熱輻射和光發射信號進行失效點定位的先進顯微技術。它通過高靈敏度探測器捕捉納瓦級別的紅外信號，并結合光學放大系統實現微米甚至亞微米級的空間分辨率。相比傳統的電子探針或電性測試，Thermal EMMI在非接觸、無損檢測方面有明顯優勢，能夠在器件通電狀態下直接觀測局部發熱熱點或電流泄漏位置。這種技術在先進制程節點（如 5nm、3nm）中尤為關鍵，因為器件結構復雜且供電電壓低，任何細微缺陷都會在熱輻射分布上體現。通過Thermal EMMI，工程師能夠快速鎖定失效區域，大幅減少剖片和反復驗證的時間，為芯片研發和生產帶來高效的故障分析手段。評估 PCB 走線布局、過孔設計對熱分布的影響，指導散熱片、導熱膠的選型與 placement。IC熱紅外顯微鏡應用

在半導體失效分析實驗室中，工程師們常常面臨令人頭疼的難題：一塊價值百萬的芯片突然“歇工”，卻遲遲找不到故障根源。傳統檢測手段輪番上陣——電性測試無從下手，物理開蓋又可能破壞關鍵痕跡，整個分析仿佛陷入迷霧之中。這時，Thermal EMMI（熱紅外顯微鏡）如同一位敏銳的“熱力神探”登場。它能夠捕捉芯片在微觀層面發出的極其微弱的熱輻射與光信號，毫不干擾樣品本體，實現非接觸式成像。借助其高靈敏度和高空間分辨率，隱藏在納米尺度下的異常熱點被一一揭示，讓“沉默”的芯片重新開口說話，助力工程師快速鎖定失效位置，為后續修復與優化提供明確方向。在眾多復雜失效場景中，Thermal EMMI已成為不可或缺的利器。
半導體失效分析熱紅外顯微鏡廠家電話在高低溫循環（-40℃~125℃）中監測車載功率模塊、傳感器的熱疲勞退化。

熱紅外顯微鏡是半導體失效分析與缺陷定位的三大主流手段之一（EMMI、THERMAL、OBIRCH），通過捕捉故障點產生的異常熱輻射，實現精細定位。存在缺陷或性能退化的器件通常表現為局部功耗異常，導致微區溫度升高。顯微熱分布測試系統結合熱點鎖定技術，能夠高效識別這些區域。熱點定位是一種動態紅外熱成像方法，通過調節電壓提升分辨率與靈敏度，并借助算法優化信噪比。在集成電路（IC）分析中，該技術廣泛應用于定位短路、ESD損傷、缺陷晶體管、二極管失效及閂鎖問題等關鍵故障。

Thermal EMMI的制冷技術不斷升級，提升了探測器的靈敏度。探測器的噪聲水平與其工作溫度密切相關，溫度越低，噪聲越小，檢測靈敏度越高。早期的 thermal emmi 多采用液氮制冷，雖能降低溫度，但操作繁瑣且成本較高。如今，斯特林制冷、脈沖管制冷等新型制冷技術的應用，使探測器可穩定工作在更低溫度，且無需頻繁添加制冷劑，操作更便捷。例如，采用 深制冷技術的探測器，能有效降低暗電流噪聲，大幅提升對微弱光信號和熱信號的檢測能力，使 thermal emmi 能捕捉到更細微的缺陷信號。在半導體制造中，通過逐點熱掃描篩選熱特性不一致的晶圓，提升良率。

在半導體失效分析（Failure Analysis, FA）流程中，Thermal EMMI 是承上啟下的關鍵環節。此前，工程師需要依靠大量電性參數測試、掃描聲學顯微鏡或X射線等方法逐步縮小可疑范圍，但對于微小短路、漏電或局部發熱缺陷，這些方法往往難以直接定位。Thermal EMMI 能夠在樣品上電并模擬實際工作條件的同時，捕捉缺陷點產生的瞬態熱信號，實現快速、直觀的可視化定位。尤其是在 BGA 封裝、多層 PCB 以及三維封裝（3D IC）等復雜結構中，Thermal EMMI 的穿透力和高分辨率成像能力能縮短分析周期。此外，該技術還能與鎖相紅外熱成像（Lock-in Thermography）結合，提升弱信號檢測的信噪比，讓難以察覺的微小缺陷“現形”，為后續的物理剖片和根因分析提供依據。熱紅外顯微鏡的 AI 智能分析模塊，自動標記異常熱斑并匹配歷史失效數據庫。紅外光譜熱紅外顯微鏡設備

熱紅外顯微鏡結合自研算法，對微弱熱信號進行定位分析，鎖定潛在缺陷 。IC熱紅外顯微鏡應用

隨著國內半導體產業的快速發展，Thermal EMMI 技術正逐步從依賴進口轉向自主研發。國產 Thermal EMMI 設備不僅在探測靈敏度和分辨率上追平甚至超越部分國際產品，還在適配本土芯片工藝、降低采購和維護成本方面展現出獨特優勢。例如，一些國產廠商針對國內封測企業的需求，對探測器響應波段、樣品臺尺寸、自動化控制系統等進行定制化設計，更好地適應大批量失效分析任務。同時，本土研發團隊能夠快速迭代軟件算法，如引入 AI 圖像識別進行熱點自動標注，減少人工判斷誤差。這不僅提升了檢測效率，也讓 Thermal EMMI 從傳統的“精密實驗室設備”走向生產線質量控制工具，為國產芯片在全球競爭中提供可靠的技術支撐。IC熱紅外顯微鏡應用