隨著半導體器件向先進封裝（如 2.5D/3D IC、Chiplet 集成）方向發展，傳統失效分析方法在穿透力和分辨率之間往往存在取舍。而 Thermal EMMI 在這一領域展現出獨特優勢，它能夠透過硅層或封裝材料觀測內部熱點分布，并在不破壞結構的情況下快速鎖定缺陷位置。對于 TSV（硅通孔）結構中的漏電、短路或工藝缺陷，Thermal EMMI 結合多波段探測和長時間積分成像，可在微瓦級功耗下識別異常點，極大減少了高價值樣品的損壞風險。這一能力讓 Thermal EMMI 成為先進封裝良率提升的重要保障，也為后續的物理剖片提供精確坐標，從而節省分析時間與成本。熱紅外顯微鏡通過分析熱輻射分布，評估芯片散熱設計的合理性 。半導體熱紅外顯微鏡方案

Thermal EMMI的制冷技術不斷升級，提升了探測器的靈敏度。探測器的噪聲水平與其工作溫度密切相關，溫度越低，噪聲越小，檢測靈敏度越高。早期的 thermal emmi 多采用液氮制冷，雖能降低溫度，但操作繁瑣且成本較高。如今，斯特林制冷、脈沖管制冷等新型制冷技術的應用，使探測器可穩定工作在更低溫度，且無需頻繁添加制冷劑，操作更便捷。例如，采用 深制冷技術的探測器，能有效降低暗電流噪聲，大幅提升對微弱光信號和熱信號的檢測能力，使 thermal emmi 能捕捉到更細微的缺陷信號。顯微熱紅外顯微鏡用途熱紅外顯微鏡在材料研究領域，常用于觀察材料微觀熱傳導特性。

Thermal和EMMI是半導體失效分析中常用的兩種定位技術，主要區別在于信號來源和應用場景不同。Thermal（熱紅外顯微鏡）通過紅外成像捕捉芯片局部發熱區域，適用于分析短路、功耗異常等因電流集中引發溫升的失效現象，響應快、直觀性強。而EMMI（微光顯微鏡）則依賴芯片在失效狀態下產生的微弱自發光信號進行定位，尤其適用于分析ESD擊穿、漏電等低功耗器件中的電性缺陷。相較之下，Thermal更適合熱量明顯的故障場景，而EMMI則在熱信號不明顯但存在異常電性行為時更具優勢。實際分析中，兩者常被集成使用，相輔相成，以實現失效點定位和問題判斷。

此外，致晟光電自主研發的熱紅外顯微鏡thermal emmi還能對芯片內部關鍵半導體結點的溫度進行監測，即結溫。結溫水平直接影響器件的穩定運行和使用壽命，過高的結溫會加速性能衰減。依托其高空間分辨率的熱成像能力，熱紅外顯微鏡不僅能夠實現結溫的精確測量，還能為研發人員提供詳盡的熱學數據，輔助制定合理的散熱方案。借助這一技術，工程師能夠在芯片研發、測試和應用各環節中掌握其熱特性，有效提升芯片的可靠性和整體性能表現。 熱紅外顯微鏡在 SiC/GaN 功率器件檢測中，量化評估襯底界面熱阻分布。

半導體制程逐步邁入3納米及更先進階段，芯片內部結構愈發復雜密集，供電電壓不斷降低，微觀熱行為對器件性能的影響日益明顯。在這一背景下，致晟光電熱紅外顯微鏡應運而生，并在傳統熱發射顯微技術基礎上實現了深度優化與迭代。該設備專為應對先進制程中的熱管理挑戰而設計，能夠在芯片設計驗證、失效排查及性能優化等關鍵環節中提供精密、可靠的熱成像支持。通過對微觀熱信號的高靈敏度捕捉，致晟光電熱紅外顯微鏡為研發人員呈現出清晰的熱分布圖譜，有助于深入理解芯片內部的熱演化過程，從而更有效地推動相關技術研究與產品迭代。檢測 PCB 焊點、芯片鍵合線的接觸電阻異常，避免虛焊導致的瞬態過熱。紅外光譜熱紅外顯微鏡銷售公司

熱紅外顯微鏡憑借≤0.001℃的溫度分辨率，助力復雜半導體失效分析 。半導體熱紅外顯微鏡方案

熱紅外顯微鏡的分辨率不斷提升，推動著微觀熱成像技術的發展。早期的熱紅外顯微鏡受限于光學系統和探測器性能，空間分辨率通常在幾十微米級別，難以滿足微觀結構的檢測需求。隨著技術的進步，采用先進的紅外焦平面陣列探測器和超精密光學設計的熱紅外顯微鏡，分辨率已突破微米級，甚至可達亞微米級別。這使得它能清晰觀察到納米尺度下的溫度分布，例如在研究納米線晶體管時，可精細檢測單個納米線的溫度變化，為納米電子器件的熱管理研究提供前所未有的細節數據。半導體熱紅外顯微鏡方案