紅外線介于可見光和微波之間，波長范圍0.76~1000μm。凡是高于jd零度(0 K，即-273.15℃)的物質都可以產生紅外線，也叫黑體輻射。

由于紅外肉眼不可見，要察覺這種輻射的存在并測量其強弱離不開紅外探測器。1800年英國天文學家威廉·赫胥爾發現了紅外線，隨著后續對紅外技術的不斷研究以及半導體技術的發展，紅外探測器得到了迅猛的發展，先后出現了硫化鉛(PbS)、碲化鉛(PbTe)、銻化銦(InSb)、碲鎘汞(HgCdTe，簡稱MCT)、銦鎵砷(InGaAs)、量子阱(QWIP)、二類超晶格(type-II superlattice，簡稱T2SL)、量子級聯(QCD)等不同材料紅外探測器等 半導體芯片內部缺陷定位是工藝優化與失效分析的關鍵技術基礎。低溫熱熱紅外顯微鏡探測器

此外，致晟光電自主研發的熱紅外顯微鏡thermal emmi還能對芯片內部關鍵半導體結點的溫度進行監測，即結溫。結溫水平直接影響器件的穩定運行和使用壽命，過高的結溫會加速性能衰減。依托其高空間分辨率的熱成像能力，熱紅外顯微鏡不僅能夠實現結溫的精確測量，還能為研發人員提供詳盡的熱學數據，輔助制定合理的散熱方案。借助這一技術，工程師能夠在芯片研發、測試和應用各環節中掌握其熱特性，有效提升芯片的可靠性和整體性能表現。 工業檢測熱紅外顯微鏡按需定制快速鎖定 PCB 板上因線路搭接、元件損壞導致的熱點，尤其是隱藏在多層板內部的短路點。

從傳統熱發射顯微鏡到致晟光電熱紅外顯微鏡的技術進化，不只是觀測精度與靈敏度的提升，更實現了對先進制程研發需求的深度適配。它以微觀熱信號為紐帶，串聯起芯片設計、制造與可靠性評估全流程。在設計環節助力優化熱布局，制造階段輔助排查熱相關缺陷，可靠性評估時提供精細熱數據。這種全鏈條支撐，為半導體產業突破先進制程的熱壁壘提供了扎實技術保障，助力研發更小巧、運算更快、性能更可靠的芯片，推動其從實驗室研發穩步邁向量產應用。

在失效分析中，Thermal EMMI 并不是孤立使用的工具，而是與電性測試、掃描聲學顯微鏡（CSAM）、X-ray、FIB 等技術形成互補。通常，工程師會先通過電性測試確認失效模式，再用 Thermal EMMI 在通電條件下定位熱點區域。鎖定區域后，可使用 FIB 進行局部開窗或切片，進一步驗證缺陷形貌。這種“先定位、再剖片”的策略，不僅提高了分析效率，也降低了因盲剖帶來的風險。Thermal EMMI 在這一配合體系中的價值，正是用**快速、比較低損的方法縮小分析范圍，讓后續的精細分析事半功倍。熱紅外顯微鏡在材料研究領域，常用于觀察材料微觀熱傳導特性。

在半導體IC裸芯片的研發與檢測過程中，熱紅外顯微鏡是一種不可或缺的分析工具。裸芯片內部結構高度緊湊、集成度極高，即便出現微小的熱異常，也可能對性能產生不良影響，甚至引發失效。因此，建立精確可靠的熱檢測手段顯得尤為重要。熱紅外顯微鏡能夠以非接觸方式實現芯片熱分布的成像與分析，直觀展示芯片在運行狀態下的溫度變化。通過識別局部熱點，工程師可以發現潛在問題，這些問題可能來源于電路設計缺陷、局部電流過大或器件老化等因素，從而在早期階段采取調整設計或改進工藝的措施。

熱紅外顯微鏡通過測量熱輻射強度，量化評估電子元件的功耗 。國產熱紅外顯微鏡校準方法

國產熱紅外顯微鏡憑借自主研發軟件，具備時域重構等功能，提升檢測效率。低溫熱熱紅外顯微鏡探測器

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進的非破壞性檢測技術，廣泛應用于電子設備和半導體器件的精細故障定位。它能夠在不干擾或破壞被測對象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態下釋放的微弱熱輻射和光信號，為工程師提供可靠的故障診斷和性能分析依據。尤其在復雜集成電路、高性能半導體器件以及精密印制電路板（PCB）的檢測中，ThermalEMMI能夠迅速識別異常發熱或發光區域，這些區域通常與潛在缺陷、設計不足或性能問題密切相關。通過對這些熱點的精確定位，研發和測試人員可以深入分析失效原因，指導工藝改進或芯片優化，從而提升產品可靠性和穩定性。此外，ThermalEMMI的非接觸式測量特點使其能夠在芯片研發、量產檢測和終端應用過程中實現連續監測，為工程師提供高效、精細的分析工具，加速問題排查和產品優化流程，成為現代電子檢測與失效分析的重要技術支撐。低溫熱熱紅外顯微鏡探測器