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在失效分析中，Thermal EMMI 并不是孤立使用的工具，而是與電性測試、掃描聲學顯微鏡（CSAM）、X-ray、FIB 等技術形成互補。通常，工程師會先通過電性測試確認失效模式，再用 Thermal EMMI 在通電條件下定位熱點區域。鎖定區域后，可使用 FIB 進行局部開窗或切片，進一步驗證缺陷形貌。這種“先定位、再剖片”的策略，不僅提高了分析效率，也降低了因盲剖帶來的風險。Thermal EMMI 在這一配合體系中的價值，正是用**快速、比較低損的方法縮小分析范圍，讓后續的精細分析事半功倍。工程師們常常面對這樣的困境：一塊價值百萬的芯片突然“停工”，傳統檢測手段輪番上陣卻找不到故障點...

從工作原理來看，紅外探測器可分為熱探測器與光電探測器兩大類。熱探測器利用熱電效應，將入射紅外輻射引起的溫度變化通過熱電偶轉化為電壓信號，典型**包括熱電堆、熱電探測器和熱輻射計等；光電探測器則依靠光電效應，將紅外光子直接轉化為電信號，具有響應速度快、靈敏度高的特點。從材料類型來看，紅外探測器又可分為非制冷型與制冷型兩類。非制冷型以氧化釩、非晶硅等為**，主要基于紅外輻射的熱效應工作，結構簡單、成本較**冷型則以MCT（碲鎘汞）、InSb（銻化銦）、T2SL（Ⅱ類超晶格）等材料為主，依靠光電效應實現高靈敏度探測，適用于高精度、長波長及弱信號的紅外成像與測量需求。 國產熱紅外顯微鏡憑借自主研發...

在現代汽車電子系統中，車規級芯片扮演著至關重要的角色，其穩定性與可靠性直接影響車輛的安全運行。為了保證行車安全并提升芯片品質，開展系統化的失效分析顯得十分必要。在這一過程中，熱紅外顯微鏡成為工程師的重要手段。由于芯片故障往往伴隨異常的發熱現象，通過對溫度分布的觀察，可以直觀地識別和鎖定可能存在隱患的區域。當芯片內部出現電路短路、材料老化或局部電流異常時，都會導致局部溫度快速升高，進而形成突出的熱點。熱紅外顯微鏡能夠準確捕捉這些現象，并提供空間分辨率較高的熱分布圖像，為定位潛在問題點提供直觀依據。這不僅為功率模塊等復雜器件的失效分析提供了可靠工具，也為車企在產品研發和生產環節中優化良率、提升芯片...

熱點區域對應高溫部位，可能是發熱源或故障點；等溫線連接溫度相同點，直觀呈現溫度梯度與熱量傳導規律。 當前市面上多數設備受限于紅外波長及探測器性能，普遍存在熱點分散、噪點繁多的問題，直接導致發熱區域定位偏差、圖像對比度與清晰度下降，嚴重影響溫度分布判斷的準確性。 而我方設備優勢明顯：抗干擾能力強，可有效削弱外界環境及內部器件噪聲干擾，確保圖像穩定可靠；等溫線清晰銳利，能圈定溫度相同區域，便于快速掌握溫度梯度與熱傳導路徑，大幅提升熱特性分析精度；成像效果大幅升級，具備更高的空間分辨率、溫度分辨率及對比度，細微細節清晰可辨，為深度分析提供高質量圖像支撐。 熱紅外顯微鏡憑借高靈敏度探測...

從傳統熱發射顯微鏡到致晟光電熱紅外顯微鏡的技術進化，不只是觀測精度與靈敏度的提升，更實現了對先進制程研發需求的深度適配。它以微觀熱信號為紐帶，串聯起芯片設計、制造與可靠性評估全流程。在設計環節助力優化熱布局，制造階段輔助排查熱相關缺陷，可靠性評估時提供精細熱數據。這種全鏈條支撐，為半導體產業突破先進制程的熱壁壘提供了扎實技術保障，助力研發更小巧、運算更快、性能更可靠的芯片，推動其從實驗室研發穩步邁向量產應用。熱紅外顯微鏡應用于光伏行業，可檢測太陽能電池片微觀區域的熱損耗，助力提升電池轉換效率。國內熱紅外顯微鏡分析在半導體 IC 裸芯片研究與檢測中，熱紅外顯微鏡是一項重要工具。裸芯片結構緊湊、集...

熱紅外顯微鏡在半導體IC裸芯片的熱檢測中具有不可替代的作用。裸芯片內部結構高度精密、集成度極高，即便是微小的熱異常，也可能影響性能甚至引發失效，因此精確的熱檢測至關重要。 依托非接觸式成像原理，熱紅外顯微鏡能夠清晰呈現芯片工作過程中的熱分布與溫度變化，快速定位熱點區域。這些熱點往往源于電路設計缺陷、局部電流過大或器件老化等問題。通過對熱點檢測與分析，工程師能夠及時發現潛在故障風險，為優化芯片設計和改進制造工藝提供有力依據。 此外，熱紅外顯微鏡還能精確測量裸芯片內部關鍵半導體結點的溫度（結溫）。結溫是評估芯片性能與可靠性的重要指標，過高的結溫不僅會縮短器件壽命，還可能影響其長期穩...

從工作原理來看，紅外探測器可分為熱探測器與光電探測器兩大類。熱探測器利用熱電效應，將入射紅外輻射引起的溫度變化通過熱電偶轉化為電壓信號，典型**包括熱電堆、熱電探測器和熱輻射計等；光電探測器則依靠光電效應，將紅外光子直接轉化為電信號，具有響應速度快、靈敏度高的特點。從材料類型來看，紅外探測器又可分為非制冷型與制冷型兩類。非制冷型以氧化釩、非晶硅等為**，主要基于紅外輻射的熱效應工作，結構簡單、成本較**冷型則以MCT（碲鎘汞）、InSb（銻化銦）、T2SL（Ⅱ類超晶格）等材料為主，依靠光電效應實現高靈敏度探測，適用于高精度、長波長及弱信號的紅外成像與測量需求。 在半導體行業高度集成化趨勢加...

在半導體芯片的失效分析和可靠性研究中，溫度分布往往是**關鍵的參考參數之一。由于芯片結構高度集成，任何局部的異常發熱都可能導致電性能下降，甚至出現器件擊穿等嚴重問題。傳統的接觸式測溫方法無法滿足高分辨率與非破壞性檢測的需求，而熱紅外顯微鏡憑借其非接觸、實時成像的優勢，為工程師提供了精細的解決方案。通過捕捉芯片表面微小的紅外輻射信號，熱紅外顯微鏡能夠清晰還原器件的熱分布情況，直觀顯示出局部過熱、散熱不均等問題。尤其在先進制程節點下，熱紅外顯微鏡幫助研發團隊快速識別潛在失效點，為工藝優化提供可靠依據。這一技術不僅***提升了檢測效率，也在保障器件長期穩定性和安全性方面發揮著重要作用。熱紅外顯微鏡憑...

隨著新能源汽車和智能汽車的快速發展，汽車電子系統的穩定性和可靠性顯得尤為重要。由于車載環境復雜，功率器件、控制芯片和傳感器在運行中極易受到溫度波動的影響，從而引發性能衰減或失效。熱紅外顯微鏡為這一領域提供了先進的檢測手段。它能夠在不干擾系統運行的情況下，實時監控關鍵器件的溫度分布，快速發現潛在的過熱隱患。通過對熱紅外顯微鏡成像結果的分析，工程師可以有針對性地優化散熱設計和器件布局，確保電子系統在高溫、震動等極端條件下仍能穩定工作。這不僅提升了汽車電子的可靠性，也為整車的安全性能提供了保障。可以說，熱紅外顯微鏡已經成為推動汽車電子產業升級的重要技術支撐，未來其應用范圍還將進一步拓展至智能駕駛和車...

致晟光電在推動產學研一體化進程中，積極開展校企合作。公司依托南京理工大學光電技術學院，專注開發基于微弱光電信號分析的產品及應用。雙方聯合攻克技術難題，不斷優化實時瞬態鎖相紅外熱分析系統（RTTLIT），使該系統溫度靈敏度可達0.0001℃，功率檢測限低至1uW，部分功能及參數優于進口設備。此外，致晟光電還與其他高校建立合作關系，搭建起學業-就業貫通式人才孵化平臺。為學生提供涵蓋研發設計、生產實踐、項目管理全鏈條的育人平臺，輸送了大量實踐能力強的專業人才，為企業持續創新注入活力。通過建立科研成果產業孵化綠色通道，高校的前沿科研成果得以快速轉化為實際生產力，實現了高校科研資源與企業市場轉化能力...

致晟光電在推進產學研一體化進程中，積極開展多層次校企合作。公司依托南京理工大學光電技術學院，專注于微弱光電信號分析相關產品及應用的研發。雙方聯合攻克技術難題，不斷優化實時瞬態鎖相紅外熱分析系統（RTTLIT），使其溫度靈敏度達到0.0001℃，功率檢測限低至1μW，部分性能指標在特定功能上已超過進口設備。 除了與南京理工大學的緊密合作外，致晟光電還與多所高校建立了協作關系，搭建起學業與就業貫通的人才孵化平臺。平臺覆蓋研發設計、生產實踐、項目管理等全鏈條，為學生提供系統化的實踐鍛煉機會，培養出大量具備實際操作能力的專業人才，為企業創新發展注入源源動力。同時，公司通過建立科研成果產業孵化...

熱紅外顯微鏡在半導體IC裸芯片的熱檢測中具有不可替代的作用。裸芯片內部結構高度精密、集成度極高，即便是微小的熱異常，也可能影響性能甚至引發失效，因此精確的熱檢測至關重要。 依托非接觸式成像原理，熱紅外顯微鏡能夠清晰呈現芯片工作過程中的熱分布與溫度變化，快速定位熱點區域。這些熱點往往源于電路設計缺陷、局部電流過大或器件老化等問題。通過對熱點檢測與分析，工程師能夠及時發現潛在故障風險，為優化芯片設計和改進制造工藝提供有力依據。 此外，熱紅外顯微鏡還能精確測量裸芯片內部關鍵半導體結點的溫度（結溫）。結溫是評估芯片性能與可靠性的重要指標，過高的結溫不僅會縮短器件壽命，還可能影響其長期穩...

熱點區域對應高溫部位，可能是發熱源或故障點；等溫線連接溫度相同點，能直觀呈現溫度梯度與熱量傳導規律。目前市面上多數設備受紅外波長及探測器性能限制，普遍存在熱點分散、噪點多的問題，導致發熱區域定位不準，圖像對比度和清晰度下降，影響溫度分布判斷的準確性。而致晟設備優勢是設備抗干擾能力強，可有效減少外界環境及內部器件噪聲影響，保障圖像穩定可靠；等溫線明顯，能清晰展現溫度相同區域，便于快速掌握溫度梯度與熱傳導情況，提升熱特性分析精度，同時成像效果大幅提升，具備更高的空間分辨率、溫度分辨率及對比度，可清晰呈現細微細節，為分析提供高質量的圖像支持。熱紅外顯微鏡能夠探測到亞微米級別的熱異常，檢測精度極高 。...

thermal emmi（熱紅外顯微鏡）是結合了熱成像與光電發射檢測技術的先進設備，它不僅能捕捉半導體器件因缺陷產生的微弱光信號，還能同步記錄缺陷區域的溫度變化，實現光信號與熱信號的協同分析。當半導體器件存在漏電等缺陷時，除了會產生載流子復合發光，往往還會伴隨局部溫度升高，thermal emmi 通過整合兩種檢測方式，可更好地反映缺陷的特性。例如，在檢測功率半導體器件時，它能同時定位漏電產生的微光信號和因漏電導致的局部過熱點，幫助工程師判斷缺陷的類型和嚴重程度，為失效分析提供更豐富的信息。熱紅外顯微鏡應用于光伏行業，可檢測太陽能電池片微觀區域的熱損耗，助力提升電池轉換效率。制造熱紅外顯微鏡方...

半導體制程逐步邁入3納米及更先進階段，芯片內部結構愈發復雜密集，供電電壓不斷降低，微觀熱行為對器件性能的影響日益明顯。在這一背景下，致晟光電熱紅外顯微鏡應運而生，并在傳統熱發射顯微技術基礎上實現了深度優化與迭代。該設備專為應對先進制程中的熱管理挑戰而設計，能夠在芯片設計驗證、失效排查及性能優化等關鍵環節中提供精密、可靠的熱成像支持。通過對微觀熱信號的高靈敏度捕捉，致晟光電熱紅外顯微鏡為研發人員呈現出清晰的熱分布圖譜，有助于深入理解芯片內部的熱演化過程，從而更有效地推動相關技術研究與產品迭代。針對消費電子芯片，Thermal EMMI 助力排查因封裝散熱不良導致的局部熱失效問題。低溫熱熱紅外顯微...

熱紅外顯微鏡在材料科學研究中有著廣泛應用。對于新型復合材料，其內部不同組分的導熱性能存在差異，在外界溫度變化或通電工作時，表面溫度分布會呈現不均勻性。熱紅外顯微鏡能以超高的空間分辨率捕捉這種溫度差異，清晰展示材料內部的熱傳導路徑和熱點分布。研究人員通過分析這些圖像，可深入了解材料的熱物理特性，為優化材料配方、改進制備工藝提供依據。比如在研發高導熱散熱材料時，借助熱紅外顯微鏡能直觀觀察不同添加成分對材料散熱性能的影響，加速高性能材料的研發進程。熱紅外顯微鏡儀器采用抗干擾設計，可減少外界環境因素對微觀熱觀測結果的影響，保障數據可靠。實時成像熱紅外顯微鏡圖像分析當電子器件出現失效時，如何快速、準確地...

Thermal EMMI 在第三代半導體器件檢測中發揮著關鍵作用。第三代半導體以氮化鎵、碳化硅等材料，具有耐高溫、耐高壓、高頻的特性，廣泛應用于新能源汽車、5G 通信等領域。但這類器件在制造和工作過程中，容易因材料缺陷或工藝問題產生漏電和局部過熱，影響器件可靠性。thermal emmi 憑借其高靈敏度的光信號和熱信號檢測能力，能定位這些缺陷。例如，在檢測氮化鎵功率器件時，可同時捕捉漏電產生的微光和局部過熱信號，幫助工程師分析缺陷產生的原因，優化器件結構和制造工藝，提升第三代半導體器件的質量。熱紅外顯微鏡搭配分析軟件，能對采集的熱數據進行定量分析，生成詳細的溫度分布報告。低溫熱熱紅外顯微鏡探測...

隨著半導體器件向先進封裝（如 2.5D/3D IC、Chiplet 集成）方向發展，傳統失效分析方法在穿透力和分辨率之間往往存在取舍。而 Thermal EMMI 在這一領域展現出獨特優勢，它能夠透過硅層或封裝材料觀測內部熱點分布，并在不破壞結構的情況下快速鎖定缺陷位置。對于 TSV（硅通孔）結構中的漏電、短路或工藝缺陷，Thermal EMMI 結合多波段探測和長時間積分成像，可在微瓦級功耗下識別異常點，極大減少了高價值樣品的損壞風險。這一能力讓 Thermal EMMI 成為先進封裝良率提升的重要保障，也為后續的物理剖片提供精確坐標，從而節省分析時間與成本。Thermal EMMI 具備實...

熱紅外顯微鏡的分辨率不斷提升，推動著微觀熱成像技術的發展。早期的熱紅外顯微鏡受限于光學系統和探測器性能，空間分辨率通常在幾十微米級別，難以滿足微觀結構的檢測需求。隨著技術的進步，采用先進的紅外焦平面陣列探測器和超精密光學設計的熱紅外顯微鏡，分辨率已突破微米級，甚至可達亞微米級別。這使得它能清晰觀察到納米尺度下的溫度分布，例如在研究納米線晶體管時，可精細檢測單個納米線的溫度變化，為納米電子器件的熱管理研究提供前所未有的細節數據。在高低溫循環（-40℃~125℃）中監測車載功率模塊、傳感器的熱疲勞退化。國內熱紅外顯微鏡方案在集成電路封裝環節，熱管理問題一直是影響器件性能與壽命的**因素。隨著芯片集...

致晟光電在推進產學研一體化進程中，積極開展多層次校企合作。公司依托南京理工大學光電技術學院，專注于微弱光電信號分析相關產品及應用的研發。雙方聯合攻克技術難題，不斷優化實時瞬態鎖相紅外熱分析系統（RTTLIT），使其溫度靈敏度達到0.0001℃，功率檢測限低至1μW，部分性能指標在特定功能上已超過進口設備。 除了與南京理工大學的緊密合作外，致晟光電還與多所高校建立了協作關系，搭建起學業與就業貫通的人才孵化平臺。平臺覆蓋研發設計、生產實踐、項目管理等全鏈條，為學生提供系統化的實踐鍛煉機會，培養出大量具備實際操作能力的專業人才，為企業創新發展注入源源動力。同時，公司通過建立科研成果產業孵化...

在半導體失效分析（Failure Analysis, FA）流程中，Thermal EMMI 是承上啟下的關鍵環節。此前，工程師需要依靠大量電性參數測試、掃描聲學顯微鏡或X射線等方法逐步縮小可疑范圍，但對于微小短路、漏電或局部發熱缺陷，這些方法往往難以直接定位。Thermal EMMI 能夠在樣品上電并模擬實際工作條件的同時，捕捉缺陷點產生的瞬態熱信號，實現快速、直觀的可視化定位。尤其是在 BGA 封裝、多層 PCB 以及三維封裝（3D IC）等復雜結構中，Thermal EMMI 的穿透力和高分辨率成像能力能縮短分析周期。此外，該技術還能與鎖相紅外熱成像（Lock-in Thermograp...

作為專為半導體檢測設計的紅外熱點顯微鏡，它兼具高頻、高靈敏度與高分辨率優勢。通過周期性電信號激勵與相位分析，紅外熱點顯微鏡能實時提取微弱紅外光譜信號，檢測mK級溫度變化——這意味著即使是芯片內部0.1mK的微小溫差，紅外熱點顯微鏡也能捕捉，輕松定位內部發熱缺陷的深度與分布。紅外熱點顯微鏡的無損檢測能力尤為突出。無需破壞器件，紅外熱點顯微鏡就能檢測功率半導體及IGBT缺陷，涵蓋電源電路缺陷、電流泄漏等問題，為器件設計優化與良率提升提供數據支撐。同時，紅外熱點顯微鏡適配“設備-算法-應用場景”一體化思路，不僅滿足檢測精度，更適配產業效率需求。評估 PCB 走線布局、過孔設計對熱分布的影響，指導散熱...

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）技術不僅能夠實現電子器件故障的精確定位，更在性能評估、熱管理優化與可靠性分析等方面展現出獨特價值。通過高分辨率的熱成像手段，工程師可直觀獲取器件內部的熱點分布圖譜，深入分析其熱傳導特性，并據此優化散熱結構設計，有效提升系統的運行穩定性與使用壽命。同時，該技術還能實時監測電路功耗分布及異常發熱區域，構建動態熱特征數據庫，為早期故障預警和預防性維護提供強有力的數據支撐，從源頭上降低潛在失效風險，是實現高性能、高可靠電子系統不可或缺的技術手段之一。熱紅外顯微鏡儀器具備自動化控制功能，可設定觀測參數，提升微觀熱分析的效率與準確性。金灣區熱紅外顯微鏡半導體制程逐步...

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進的非破壞性檢測技術，廣泛應用于電子設備和半導體器件的精細故障定位。它能夠在不干擾或破壞被測對象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態下釋放的微弱熱輻射和光信號，為工程師提供可靠的故障診斷和性能分析依據。尤其在復雜集成電路、高性能半導體器件以及精密印制電路板（PCB）的檢測中，ThermalEMMI能夠迅速識別異常發熱或發光區域，這些區域通常與潛在缺陷、設計不足或性能問題密切相關。通過對這些熱點的精確定位，研發和測試人員可以深入分析失效原因，指導工藝改進或芯片優化，從而提升產品可靠性和穩定性。此外，ThermalEMMI的非接觸式測量特點使其能夠在芯片研...

Thermal EMMI（Thermal Emission Microscopy）是一種利用半導體器件在工作過程中微弱熱輻射和光發射信號進行失效點定位的先進顯微技術。它通過高靈敏度探測器捕捉納瓦級別的紅外信號，并結合光學放大系統實現微米甚至亞微米級的空間分辨率。相比傳統的電子探針或電性測試，Thermal EMMI在非接觸、無損檢測方面有明顯優勢，能夠在器件通電狀態下直接觀測局部發熱熱點或電流泄漏位置。這種技術在先進制程節點（如 5nm、3nm）中尤為關鍵，因為器件結構復雜且供電電壓低，任何細微缺陷都會在熱輻射分布上體現。通過Thermal EMMI，工程師能夠快速鎖定失效區域，大幅減少剖片和...

熱點區域對應高溫部位，可能是發熱源或故障點；等溫線連接溫度相同點，能直觀呈現溫度梯度與熱量傳導規律。目前市面上多數設備受紅外波長及探測器性能限制，普遍存在熱點分散、噪點多的問題，導致發熱區域定位不準，圖像對比度和清晰度下降，影響溫度分布判斷的準確性。而致晟設備優勢是設備抗干擾能力強，可有效減少外界環境及內部器件噪聲影響，保障圖像穩定可靠；等溫線明顯，能清晰展現溫度相同區域，便于快速掌握溫度梯度與熱傳導情況，提升熱特性分析精度，同時成像效果大幅提升，具備更高的空間分辨率、溫度分辨率及對比度，可清晰呈現細微細節，為分析提供高質量的圖像支持。熱紅外顯微鏡結合多模態檢測（THERMAL/EMMI/OB...

致晟光電在推進產學研一體化進程中，積極開展多層次校企合作。公司依托南京理工大學光電技術學院，專注于微弱光電信號分析相關產品及應用的研發。雙方聯合攻克技術難題，不斷優化實時瞬態鎖相紅外熱分析系統（RTTLIT），使其溫度靈敏度達到0.0001℃，功率檢測限低至1μW，部分性能指標在特定功能上已超過進口設備。 除了與南京理工大學的緊密合作外，致晟光電還與多所高校建立了協作關系，搭建起學業與就業貫通的人才孵化平臺。平臺覆蓋研發設計、生產實踐、項目管理等全鏈條，為學生提供系統化的實踐鍛煉機會，培養出大量具備實際操作能力的專業人才，為企業創新發展注入源源動力。同時，公司通過建立科研成果產業孵化...

thermal emmi（熱紅外顯微鏡）是結合了熱成像與光電發射檢測技術的先進設備，它不僅能捕捉半導體器件因缺陷產生的微弱光信號，還能同步記錄缺陷區域的溫度變化，實現光信號與熱信號的協同分析。當半導體器件存在漏電等缺陷時，除了會產生載流子復合發光，往往還會伴隨局部溫度升高，thermal emmi 通過整合兩種檢測方式，可更好地反映缺陷的特性。例如，在檢測功率半導體器件時，它能同時定位漏電產生的微光信號和因漏電導致的局部過熱點，幫助工程師判斷缺陷的類型和嚴重程度，為失效分析提供更豐富的信息。熱紅外顯微鏡在 3D 封裝檢測中，通過熱傳導分析確定內部失效層 。工業檢測熱紅外顯微鏡備件在物聯網、可穿...

作為國內少數掌握 Thermal EMMI 技術并實現量產的企業之一，致晟光電在設備國產化和產業落地方面取得了雙重突破。設備在光路設計、探測器匹配、樣品平臺穩定性等關鍵環節均采用自主方案，確保整機性能穩定且易于維護。更重要的是，致晟光電深度參與國內封測廠、晶圓廠及科研機構的失效分析項目，將 Thermal EMMI 不僅用于研發驗證，還延伸至生產線質量監控和來料檢測。這種從實驗室走向產線的轉變，意味著 Thermal EMMI 不再只是少數工程師的“顯微鏡”，而是成為支撐國產半導體產業質量提升的重要裝備。通過持續優化算法、提升檢測效率，致晟光電正推動 Thermal EMMI 技術在國內形成成...

Thermal EMMI（Thermal Emission Microscopy）是一種利用半導體器件在工作過程中微弱熱輻射和光發射信號進行失效點定位的先進顯微技術。它通過高靈敏度探測器捕捉納瓦級別的紅外信號，并結合光學放大系統實現微米甚至亞微米級的空間分辨率。相比傳統的電子探針或電性測試，Thermal EMMI在非接觸、無損檢測方面有明顯優勢，能夠在器件通電狀態下直接觀測局部發熱熱點或電流泄漏位置。這種技術在先進制程節點（如 5nm、3nm）中尤為關鍵，因為器件結構復雜且供電電壓低，任何細微缺陷都會在熱輻射分布上體現。通過Thermal EMMI，工程師能夠快速鎖定失效區域，大幅減少剖片和...