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來源: 發布時間:2025-09-13

根據圖2中,RC充放電電路的輸出經過增益電路后可得電流參考為:式中k為增益,VC為RC充放電電路的輸入電壓,τ為RC的時間系數,θ為可控硅的導通角。則在**小導通角對應的輸出為零,即電路輸出的**大值對應電流參考的**大值:從式(1)和式(2)可得輸出電流表達式如式(3)所示。在斬波角為θ時,電路對應的輸入功率為:式中Vp為輸入電壓峰值,Rin為等效輸入阻抗。假設電路的變換效率為η,且電路的輸出功率為PO=IO·UO,則可得到電路的等效輸入阻抗如式(5)所示。從式(5)可得電路的功率因數如式(6)所示。驅動電路的工作原理涉及信號的放大、轉換和傳輸。松江區本地驅動電路銷售廠

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一、驅動電路概述驅動電路是位于主電路和控制電路之間,用來對控制電路的信號進行放大的中間電路,即將控制電路輸出的信號放大到足以驅動功率晶體管的程度,實現開關功率放大作用。它是電子設備和系統中至關重要的組成部分,廣泛應用于計算機、通信設備、電視、汽車、機器人等領域。二、驅動電路的作用功率放大:驅動電路的主要作用是將控制電路產生的微弱信號放大,以驅動功率開關器件的開斷。提高系統可靠性:優良的驅動電路能夠減少器件的開關損耗,提高能量轉換效率,并降低電磁干擾(EMI/EMC)。松江區本地驅動電路銷售廠驅動電路是用于控制和驅動其他電路或設備的電路。

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3、調節功率開關器件的通斷速度柵極電阻小,開關器件通斷快,開關損耗小;反之則慢,同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和電流變化率**提高,從而產生較大的干擾,嚴重的將使整個裝置無法工作,因此必須統籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下,柵極電阻的選取會有很大的差異。初試可如下選取:不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求,可在其參數手冊的推薦值附近調試。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅動的功率決定,一般來說柵極電阻的總功率應至少是柵極驅動功率的2倍。

有些驅動器只有一個輸出端,這就要在原來的Rg 上再并聯一個電阻和二極管的串聯網絡,用以調節2個方向的驅動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10-100K 電阻,防止在未接驅動引線的情況下,偶然加主電高壓,通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。對于大功率IGBT,選擇驅動電路基于以下的參數要求:器件關斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小,對IGBT的通態壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數有不同程度的影響。門極驅動條件與器件特性的關系見表1。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性、負載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響,而門極負偏壓則對關斷特性的影響比較大。在門極電路的設計中,還要注意開通特性、負載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發等問題(見表1)。IGBT驅動電路分為正壓驅動和負壓驅動,負壓關斷可以避免誤導通風險,加快關斷速度,減小關斷損耗。

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由于門極的測量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓,在實際開關中存在的米勒效應(Miller 效應)在測量中也沒有被包括在內,在實際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數據手冊中給出的電容Cies 值大很多。因此,在IGBT數據手冊中給出的電容Cies值在實際應用中**只能作為一個參考值使用。確定IGBT 的門極電荷對于設計一個驅動器來說,**重要的參數是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷),如果在IGBT 數據手冊中能夠找到這個參數,那么我們就可以運用公式計算出:門極驅動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]LED驅動電路:專門設計用于驅動LED,通常包括恒流源電路,以確保LED在安全的電流范圍內工作。靜安區國產驅動電路服務熱線

高邊驅動:則用于將功率開關器件連接在電源正極一側。松江區本地驅動電路銷售廠

驅動電路隔離技術一般使用光電耦合器或隔離變壓器(光耦合;磁耦合)。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高,容易**擾,故驅動電路應具有良好的電氣隔離性能,以實現主電路與控制電路之間的隔離,使之具有較強的抗干擾能力,避免功率級電路對控制信號的干擾。光耦隔離驅動可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實現電路的電磁隔離,是一種電路簡單可靠,又具有電氣隔離作用的電路,但其對脈沖的寬度有較大限制,若脈沖過寬,磁飽和效應可能使一次繞組的電流突然增大,甚至使其燒毀,而若脈沖過窄,為驅動柵極關斷所存儲的能量可能不夠。松江區本地驅動電路銷售廠

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