非隔離驅動電路：不具有電氣隔離結構，多采用電阻、二極管、三極管或非隔離型驅動芯片。按常見形式分類：直接驅動：由單個電子元器件（如二極管、三極管、電阻、電容等）連接起來組成的驅動電路，多用于功能簡單的小功率驅動場合。隔離驅動：電路包含隔離器件，常用的有光耦驅動、變壓器驅動以及隔離電容驅動等。**驅動集成芯片：在數字電源中應用***，許多驅動芯片自帶保護和隔離功能。功率開關管常用驅動MOSFET驅動：MOSFET常用于中小功率數字電源，其驅動電壓范圍一般在-10~20V之間。MOSFET對驅動電路的功率要求不高，在低頻場合可利用三極管直接驅動，而在高頻場合多采用變壓器或**芯片進行驅動。由單個電子元器件連接起來組成的驅動電路，多用于功能簡單的小功率驅動場合。金山區推廣驅動電路量大從優

光電隔 離，是利用光耦合器將控制信號回路和驅動回路隔離開。該驅動電路輸出阻抗較小，解決了柵極驅動源低阻抗的問題，但由于光耦合器響應速度較慢，因而其開關延遲時間較長，限制了適應頻率。典型光耦內部電路圖光耦指的是可隔離交流或直流信號KCB EA。1.由IF控制Ic；電流傳輸比CTR-Current Transfer Ratio2.輸入輸出特性與普通三極管相似,電流傳輸比Ic/IF比三極管“β ”小;3.可在線性區， 也可在開關狀態。 驅動電路中， 一般工作在開關狀態。黃浦區好的驅動電路貨源充足IGBT驅動電路分為正壓驅動和負壓驅動，負壓關斷可以避免誤導通風險，加快關斷速度，減小關斷損耗。

在漏、源之間的P 型區（包括P+ 和P 一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（ Subchannel region ）。而在漏區另一側的P+ 區稱為漏注入區（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP 雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關斷。

這樣一來，輸出高低電平時，T3 一路和 T4 一路將交替工作，從而減低了功耗，提高了每個管的承受能力。又由于不論走哪一路，管子導通電阻都很小，使 RC 常數很小，轉變速度很快。因此，推拉式輸出級既提高電路的負載能力，又提高開關速度。推挽結構一般是指兩個三極管分別受兩互補信號的控制，總是在一個三極管導通的時候另一個截止。要實現線與需要用 OC（open collector）門電路。推挽電路適用于低電壓大電流的場合，廣泛應用于功放電路和開關電源中。隔離型驅動電路：包含光耦、變壓器、電容等具有電氣隔離功能器件的驅動電路。

MOSFET驅動器是一款高頻高電壓柵極驅動器，可利用一個同步 DC/DC 轉換器和高達 100V 的電源電壓來驅動兩個 N 溝道 MOSFET。強大的驅動能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開關損耗。針對兩個與電源無關的輸入進行配置。高壓側輸入邏輯信號在內部被電平移位至自舉電源，此電源可以在高出地電位達 114V 的電壓條件下運行。●分布式電源架構●汽車電源●高密度●電信系統●欠壓閉鎖功能●自適應貫通保護功能●自舉電源電壓至 114V●1.4A 峰值頂端柵極上拉電流●1.75A 峰值底端柵極上拉電流●耐熱增強型 8 引腳 MSOP 封裝以MOS管為例，當柵極電壓達到一定的閾值時，MOS管會導通；青浦區通用驅動電路量大從優

BJT驅動電路：使用雙極型晶體管（BJT）來驅動負載，適合低頻應用。金山區推廣驅動電路量大從優

如：Nvidia顯卡芯片公司平均每個月會升級顯卡驅動程序2－3次。驅動程序是硬件的一部分，當你安裝新硬件時，驅動程序是一項不可或缺的重要元件。凡是安裝一個原本不屬于你電腦中的硬件設備時，系統就會要求你安裝驅動程序，將新的硬件與電腦系統連接起來。驅動程序扮演溝通的角色，把硬件的功能告訴電腦系統，并且也將系統的指令傳達給硬件，讓它開始工作。當你在安裝新硬件時總會被要求放入“這種硬件的驅動程序”，很多人這時就開始***。不是找不到驅動程序的盤片，就是找不到文件的位置，或是根本不知道什么是驅動程序。金山區推廣驅動電路量大從優

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