N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數載流子，空穴為少數載流子。 [6]PN結因此，在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素，便形成了P型區和N型區，根據N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。 [6]外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。上海挑選二極管設計

當無光照時，光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。當制成大面積的光電二極管時，可當作一種能源而稱為光電池。此時它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。 [4]發光二極管發光二極管發光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(Light Emitting Diode)。和普通二極管相似，發光二極管也是由一個PN結構成。發光二極管的PN結封裝在透明塑料殼內，外形有方形、矩形和圓形等。發光二極管的驅動電壓低、工作電流小，具有很強的抗振動和沖擊能力、體積小、可靠性高、耗電省和壽命長等優點，***用于信號指示等電路中。 [奉賢區優勢二極管設計二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 [1]。

2023年5月，新加坡—麻省理工學院研究與技術聯盟的科學家開發了世界上**小的LED。發光二極管簡稱為LED。由含鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。當電子與空穴復合時能輻射出可見光，因而可以用來制成發光二極管。在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數字顯示。砷化鎵二極管發紅光，磷化鎵二極管發綠光，碳化硅二極管發黃光，氮化鎵二極管發藍光。因化學性質又分有機發光二極管OLED和無機發光二極管LED。ED**初用于儀器儀表的指示性照明，隨后擴展到交通信號燈。再到景觀照明、車用照明和手機鍵盤及背光源。后來發展出微型發光二極管(micro-LED)的新技術，其將原本發光二極管的尺寸大幅縮小，用可**發光的紅、藍、綠微型發光二極管成陣列排列形成顯示陣列用于顯示技術領域。微型發光二極管具有自發光顯示特性，比自發光顯示的有機發光二極管(Organic Light Emitting DiodeOLED)效率高、壽命較長、材料不易受到環境影響而相對穩定。

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。 [5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞。 [5]二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。

常用的紅外發光二極管有SIR系列、SIM系列、PLT系列、GL系列、HIR系列和HG系列等。紫外發光二極管基于半導體材料的紫外發光二極管(UV LED)具有節能、環保和壽命長等優點，在殺菌消毒、醫療和生化檢測等領域有重大的應用價值。近年來，半導體紫外光電材料和器件在全球引起越來越多的關注，成為研發熱點。 2018年12月9一12日，由中國科學院半導體研究所主辦的第三屆“國際紫外材料與器件研討會” (IWUMD一2018)在云南昆明召開，來自十二個國家的270余位**出席了會議。本次會議匯聚了國內外在紫外發光二極管材料和器件相關領域的多位前列**的***研發成果報告摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。奉賢區本地二極管生產企業

光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。上海挑選二極管設計

二極管的電路符號如圖1所示。二極管有兩個電極，由P區引出的電極是正極，又叫陽極；由N區引出的電極是負極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示。 [4]二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。上海挑選二極管設計

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