清洗 IGBT 的水基清洗劑 pH 值超過 9 時，可能腐蝕銅基板的氧化層。銅基板表面的氧化層主要為氧化銅（CuO）和氧化亞銅（Cu?O），在堿性條件下會發(fā)生化學反應(yīng)：CuO 與 OH?反應(yīng)生成可溶性的銅酸鹽（如 Na?CuO?），Cu?O 則可能分解為 CuO 和 Cu，導致氧化層完整性被破壞。pH 值越高（如超過 10），氫氧根離子濃度增加，反應(yīng)速率加快，尤其在溫度升高（如超過 40℃）或清洗時間延長（超過 10 分鐘）時，腐蝕風險明顯提升。此外，若清洗劑含 EDTA、檸檬酸鹽等螯合劑，會與銅離子結(jié)合形成穩(wěn)定絡(luò)合物，進一步促進氧化層溶解，可能露出新鮮銅表面并引發(fā)二次氧化。因此，針對銅基板的水基清洗劑 pH 值建議控制在 7-9，必要時添加銅緩蝕劑（如苯并三氮唑）以降低腐蝕風險。清洗效果出色，價格實惠，輕松應(yīng)對 IGBT 模塊清潔，性價比有目共睹。佛山濃縮型水基功率電子清洗劑供應(yīng)

清洗劑殘留導致接觸電阻升高的臨界值需根據(jù)應(yīng)用場景確定，一般電子連接部位要求接觸電阻增加值不超過初始值的 20%，功率器件的大功率接口處更嚴苛，通常控制在 10% 以內(nèi)，若超過此范圍，可能引發(fā)局部發(fā)熱、信號傳輸異常等問題。解決方案包括：選用低殘留型清洗劑，優(yōu)先選擇易揮發(fā)、無極性殘留的配方；優(yōu)化清洗工藝，增加漂洗次數(shù)（通常 2-3 次），配合去離子水沖洗減少殘留；采用真空干燥或熱風循環(huán)烘干（溫度 50-70℃），確保殘留徹底揮發(fā)；清洗后通過四探針法或毫歐表檢測接觸電阻，結(jié)合離子色譜儀測定殘留量（建議總離子殘留≤1μg/cm2）。此外，對關(guān)鍵接觸面可進行等離子處理，進一步去除微量殘留，保障連接可靠性。湖南功率模塊功率電子清洗劑技術(shù)指導對 IGBT 模塊的陶瓷基板有良好的清潔保護作用。

清洗功率模塊的銅基層發(fā)黑可能是清洗劑酸性過強導致，但并非只有這個原因。酸性過強（pH<4）時，銅會與氫離子反應(yīng)生成 Cu2?，進一步氧化形成黑色氧化銅（CuO）或堿式碳酸銅，尤其在清洗后未及時干燥時更易發(fā)生，此類發(fā)黑可通過酸洗后光亮劑處理恢復。但其他因素也可能導致發(fā)黑：如清洗劑含硫成分（硫脲、硫化物），會與銅反應(yīng)生成黑色硫化銅（CuS），這種發(fā)黑附著力強，難以去除；若清洗后殘留的氯離子（Cl?）超標，銅在濕度較高環(huán)境中會形成氯化銅腐蝕產(chǎn)物，呈灰黑色且伴隨點蝕；此外，清洗劑中緩蝕劑失效（如苯并三氮唑耗盡），銅暴露在空氣中氧化也會發(fā)黑。可通過檢測清洗劑 pH（若 < 4 則酸性過強嫌疑大）、測殘留離子（硫 / 氯超標提示其他原因）及發(fā)黑層成分分析（XPS 檢測 CuO 或 CuS 特征峰）來判斷具體誘因。

清洗 SiC 芯片時，清洗劑 pH 值超過 9 可能損傷表面金屬化層，具體取決于金屬化材料及暴露時間。SiC 芯片常用金屬化層為鈦（Ti）、鎳（Ni）、金（Au）等多層結(jié)構(gòu)，其中鈦和鎳在堿性條件下穩(wěn)定性較差：pH>9 時，OH?會與鈦反應(yīng)生成可溶性鈦酸鹽（如 Na?TiO?），導致鈦層溶解（腐蝕速率隨 pH 升高而加快，pH=10 時溶解率是 pH=8 時的 5 倍以上）；鎳則會發(fā)生氧化反應(yīng)（Ni + 2OH? → Ni (OH)? + 2e?），形成疏松的氫氧化鎳膜，破壞金屬化層連續(xù)性。金雖耐堿性較強，但高 pH 值（>11）會加速其底層鈦 / 鎳的腐蝕，導致金層剝離。實驗顯示：pH=9.5 的清洗劑處理 SiC 芯片 3 分鐘后，鈦層厚度減少 10%-15%，金屬化層導電性下降 8%-12%；若延長至 10 分鐘，可能出現(xiàn)局部露底（SiC 基底暴露）。因此，清洗 SiC 芯片的清洗劑 pH 值建議控制在 6.5-8.5，若需堿性條件，應(yīng)限制 pH≤9 并縮短清洗時間（<2 分鐘），同時添加金屬緩蝕劑（如苯并三氮唑）降低腐蝕風險。通過 RoHS/REACH 雙認證，無 VOC 揮發(fā)，呵護工人健康。

功率半導體器件清洗后，離子殘留量需嚴格遵循行業(yè)標準，以保障器件性能與可靠性。國際電子工業(yè)連接協(xié)會（IPC）制定的標準具有較廣參考性，要求清洗后總離子污染當量（以 NaCl 計）通常應(yīng)≤1.56μg/cm2 。其中，氯離子（Cl?）作為常見腐蝕性離子，其殘留量需≤0.5μg/cm2，若超標，在高溫、高濕等工況下，會侵蝕焊點及金屬線路，引發(fā)短路故障。鈉離子（Na?）對半導體性能影響明顯，殘留量需控制在≤0.2μg/cm2，防止干擾載流子傳輸，改變器件電學特性。在先進制程的功率半導體生產(chǎn)中，部分企業(yè)內(nèi)部標準更為嚴苛，如要求關(guān)鍵金屬離子（Fe、Cu 等）含量達 ppb（十億分之一）級，近乎零殘留，確保芯片在高頻率、大電流工作時，性能穩(wěn)定，避免因離子殘留引發(fā)過早失效，提升產(chǎn)品整體質(zhì)量與使用壽命 。能快速清洗電子設(shè)備中的助焊劑殘留。深圳功率模塊功率電子清洗劑生產(chǎn)企業(yè)

能快速去除 IGBT 模塊上的金屬氧化物污垢。佛山濃縮型水基功率電子清洗劑供應(yīng)

清洗IGBT模塊的高鉛錫膏殘留，溶劑型清洗劑更適合。高鉛錫膏含鉛錫合金粉末（熔點約183℃）和助焊劑（以松香、有機酸為主），其殘留具有脂溶性強、易附著于陶瓷基板與金屬引腳縫隙的特點。溶劑型清洗劑（如改性醇醚或碳氫溶劑）對松香類有機物溶解力強，能快速滲透至IGBT模塊的柵極、源極引腳間隙，瓦解錫膏殘留的黏性結(jié)構(gòu)。且溶劑表面張力低（通常＜25mN/m），可深入0.1mm以下的細微縫隙，配合超聲波清洗（30-40kHz）能徹底剝離殘留，避免因清洗不凈導致的電路短路風險。水基清洗劑雖環(huán)保，但對脂溶性助焊劑的溶解力較弱，且高鉛錫膏中的鉛氧化物遇水可能形成氫氧化物沉淀，反而造成二次污染。此外，IGBT模塊的PCB板若防水性不足，水基清洗后易殘留水分，影響電氣性能。因此，針對高鉛錫膏殘留，溶劑型清洗劑更能滿足IGBT模塊的精密清洗需求。編輯分享佛山濃縮型水基功率電子清洗劑供應(yīng)