芯片出問題不用慌！致晟光電專門搞定各類失效難題～不管是靜電放電擊穿的芯片、過壓過流燒斷的導線，還是過熱導致的晶體管損傷、熱循環磨斷的焊點，哪怕是材料老化引發的漏電、物理磕碰造成的裂紋，我們都有辦法定位。致晟的檢測設備能捕捉到細微的失效信號，從電氣應力到熱力學問題，從機械損傷到材料缺陷，一步步幫你揪出“病根”，還會給出詳細的分析報告。不管是研發時的小故障，還是量產中的質量問題，交給致晟，讓你的芯片難題迎刃而解～有失效分析需求？隨時來找我們呀！??借助微光顯微鏡，研發團隊能快速實現缺陷閉環驗證。直銷微光顯微鏡原理

近年來，國產微光顯微鏡 EMMI 設備在探測靈敏度、成像速度和算法處理能力方面取得***進步。一些本土廠商針對國內芯片制造和封測企業的需求，優化了光路設計和信號處理算法，使得設備在弱信號條件下依然能夠保持清晰成像。例如，通過深度去噪算法和 AI 輔助識別，系統可以自動區分真實缺陷信號與環境噪聲，減少人工判斷誤差。這不僅提升了分析效率，也為大規模失效分析任務提供了可行的自動化解決方案。隨著這些技術的成熟，微光顯微鏡 EMMI 有望從實驗室**工具擴展到生產線質量監控環節，進一步推動國產芯片產業鏈的自主可控。實時成像微光顯微鏡牌子微光顯微鏡依靠光子信號判定。

在微光顯微鏡（EMMI）檢測中，部分缺陷會以亮點形式呈現，

例如：漏電結（JunctionLeakage）接觸毛刺（ContactSpiking）熱電子效應（HotElectrons）閂鎖效應（Latch-Up）氧化層漏電（GateOxideDefects/Leakage，F-N電流）多晶硅晶須（Poly-SiliconFilaments）襯底損傷（SubstrateDamage）物理損傷（MechanicalDamage）等。

同時，在某些情況下，樣品本身的正常工作也可能產生亮點，例如：飽和/工作中的雙極型晶體管（Saturated/ActiveBipolarTransistors）飽和的MOS或動態CMOS（SaturatedMOS/DynamicCMOS）正向偏置二極管（ForwardBiasedDiodes）反向偏置二極管擊穿（Reverse-BiasedDiodesBreakdown）等。

因此，觀察到亮點時，需要結合電氣測試與結構分析，區分其是缺陷發光還是正常工作發光。此外，部分缺陷不會產生亮點，如：歐姆接觸金屬互聯短路表面反型層硅導電通路等。

若亮點被金屬層或其他結構遮蔽（如BuriedJunctions、LeakageSitesUnderMetal），可嘗試采用背面（Backside）成像模式。但此模式只能探測近紅外波段的發光，并需要對樣品進行減薄及拋光處理。

在研發階段，當原型芯片出現邏輯錯誤、漏電或功耗異常等問題時，工程師可以利用微光顯微鏡、探針臺等高精度設備對失效點進行精確定位，并結合電路仿真、材料分析等方法，追溯至可能存在的設計缺陷，如布局不合理、時序偏差，或工藝參數異常，從而為芯片優化提供科學依據。

在量產環節，如果出現批量性失效，失效分析能夠快速判斷問題源自光刻、蝕刻等工藝環節的穩定性不足，還是原材料如晶圓或光刻膠的質量波動，并據此指導生產線參數調整，降低報廢率，提高整體良率。在應用階段，對于芯片在終端設備如手機、汽車電子中出現的可靠性問題，結合環境模擬測試與失效機理分析，可以指導封裝設計優化、材料選擇改進，提升芯片在高溫或長期使用等復雜工況下的性能穩定性。通過研發、量產到應用的全鏈條分析，失效分析不僅能夠發現潛在問題，還能夠推動芯片設計改進、工藝優化和產品可靠性提升，為半導體企業在各個環節提供了***的技術支持和保障，確保產品在實際應用中表現可靠，降低風險并提升市場競爭力。 EMMI通過高靈敏度的冷卻型CCD或InGaAs探測器，放大并捕捉這些微光信號，從而實現缺陷點的定位。

在不同類型的半導體產品中，EMMI（微光顯微鏡） 扮演著差異化卻同樣重要的角色。對于功率半導體，如 IGBT 模塊，其工作時承受高電壓、大電流，微小的缺陷極易引發過熱甚至燒毀。EMMI 能夠檢測到因缺陷產生的異常光發射，幫助工程師排查出芯片內部的擊穿點或接觸不良區域，保障功率半導體在電力電子設備中的可靠運行。而在存儲芯片領域，EMMI 可用于檢測存儲單元漏電等問題，確保數據存儲的準確性與穩定性，維護整個存儲系統的數據安全。利用微光顯微鏡的高分辨率成像，能清晰分辨芯片內部微小結構的光子發射。制造微光顯微鏡大全

微光顯微鏡支持背面與正面雙向檢測，提高分析效率。直銷微光顯微鏡原理

Thermal和EMMI是半導體失效分析中常用的兩種定位技術，主要區別在于信號來源和應用場景不同。Thermal（熱紅外顯微鏡）通過紅外成像捕捉芯片局部發熱區域，適用于分析短路、功耗異常等因電流集中引發溫升的失效現象，響應快、直觀性強。而EMMI（微光顯微鏡）則依賴芯片在失效狀態下產生的微弱自發光信號進行定位，尤其適用于分析ESD擊穿、漏電等低功耗器件中的電性缺陷。相較之下，Thermal更適合熱量明顯的故障場景，而EMMI則在熱信號不明顯但存在異常電性行為時更具優勢。實際分析中，兩者常被集成使用，相輔相成，以實現失效點定位和問題判斷。直銷微光顯微鏡原理