鎖相熱成像系統(tǒng)憑借電激勵(lì)在電子產(chǎn)業(yè)的芯片封裝檢測(cè)中表現(xiàn)出的性能，成為芯片制造過(guò)程中不可或缺的質(zhì)量控制手段。芯片封裝是保護(hù)芯片、實(shí)現(xiàn)電氣連接的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，在封裝過(guò)程中，可能會(huì)出現(xiàn)焊球空洞、引線鍵合不良、封裝體開裂等多種缺陷。這些缺陷會(huì)嚴(yán)重影響芯片的散熱性能和電氣連接可靠性，導(dǎo)致芯片在工作過(guò)程中因過(guò)熱而失效。通過(guò)對(duì)芯片施加特定的電激勵(lì)，使芯片內(nèi)部產(chǎn)生熱量，缺陷處由于熱傳導(dǎo)受阻，會(huì)形成局部高溫區(qū)域。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠?qū)崟r(shí)捕捉芯片表面的溫度場(chǎng)分布，并通過(guò)分析溫度場(chǎng)的相位和振幅變化，生成清晰的缺陷圖像，精確顯示出缺陷的位置、大小和形態(tài)。例如，在檢測(cè) BGA 封裝芯片時(shí)，系統(tǒng)能準(zhǔn)確識(shí)別出焊球中的空洞，即使空洞體積占焊球體積的 5%，也能被定位。這一技術(shù)的應(yīng)用，幫助芯片制造企業(yè)及時(shí)發(fā)現(xiàn)封裝過(guò)程中的問(wèn)題，有效降低了產(chǎn)品的不良率，提升了芯片產(chǎn)品的質(zhì)量。紅外熱成像模塊功能是實(shí)時(shí)采集被測(cè)物體表面的紅外輻射信號(hào)，轉(zhuǎn)化為隨時(shí)間變化的溫度分布圖像序列。國(guó)產(chǎn)平替鎖相紅外熱成像系統(tǒng)成像儀

鎖相紅外熱成像系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)的裸芯片熱缺陷檢測(cè)、多層印刷電路板（PCB）質(zhì)量評(píng)估以及微電子封裝內(nèi)部缺陷分析。針對(duì)芯片和封裝內(nèi)部極其復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)檢測(cè)手段難以發(fā)現(xiàn)的微小熱點(diǎn)、虛焊和短路等缺陷，鎖相紅外技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)非接觸式、無(wú)損傷的精細(xì)定位。此外，該系統(tǒng)在電子元器件的壽命測(cè)試和熱管理優(yōu)化中同樣發(fā)揮重要作用，能夠持續(xù)監(jiān)測(cè)器件的熱行為變化，幫助研發(fā)團(tuán)隊(duì)預(yù)判潛在失效風(fēng)險(xiǎn)。除電子領(lǐng)域外，該技術(shù)也被廣泛應(yīng)用于航空航天、汽車電子及材料科學(xué)等領(lǐng)域，為關(guān)鍵部件的安全性與可靠性提供保障。
Thermo鎖相紅外熱成像系統(tǒng)P10在無(wú)損檢測(cè)領(lǐng)域，電激勵(lì)與鎖相熱成像系統(tǒng)的結(jié)合，為金屬構(gòu)件疲勞裂紋的早期發(fā)現(xiàn)提供了有效手段。

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進(jìn)的非破壞性檢測(cè)技術(shù)，主要用于精細(xì)定位電子設(shè)備中的熱點(diǎn)區(qū)域，這些區(qū)域通常與潛在的故障、缺陷或性能問(wèn)題密切相關(guān)。該技術(shù)可在不破壞被測(cè)對(duì)象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態(tài)下釋放的熱輻射與光信號(hào)，為工程師提供關(guān)鍵的故障診斷線索和性能分析依據(jù)。在諸如復(fù)雜集成電路、高性能半導(dǎo)體器件以及精密印制電路板（PCB）等電子組件中，ThermalEMMI能夠快速識(shí)別出異常發(fā)熱或發(fā)光的區(qū)域，幫助工程師迅速定位問(wèn)題根源，從而及時(shí)采取有效的維修或優(yōu)化措施。

在電子產(chǎn)業(yè)中，鎖相熱成像系統(tǒng)的檢測(cè)精度在很大程度上依賴于電激勵(lì)參數(shù)的穩(wěn)定性，因此實(shí)時(shí)監(jiān)控電激勵(lì)參數(shù)成為保障檢測(cè)結(jié)果可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在電子元件檢測(cè)過(guò)程中，電激勵(lì)的電流大小、頻率穩(wěn)定性等參數(shù)可能會(huì)受到電網(wǎng)波動(dòng)、環(huán)境溫度變化等因素影響而產(chǎn)生微小波動(dòng)。雖然這些波動(dòng)看似微不足道，但對(duì)于高精度電子元件而言，哪怕極小的變化也可能導(dǎo)致溫度分布偏差，從而干擾對(duì)實(shí)際缺陷的判斷。

為此，RTTLIT統(tǒng)能夠持續(xù)采集電激勵(lì)參數(shù)，并將監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)即時(shí)反饋給控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)激勵(lì)源輸出的動(dòng)態(tài)調(diào)整，使電流、頻率等參數(shù)始終維持在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。 鎖相熱紅外電激勵(lì)成像主動(dòng)加熱，適用于定量和深層缺陷檢測(cè)，被動(dòng)式檢測(cè)物體自身溫度變化，用于定性檢測(cè)。

這款一體化設(shè)備的核心競(jìng)爭(zhēng)力，在于打破了兩種技術(shù)的應(yīng)用邊界。熱紅外顯微鏡擅長(zhǎng)微觀尺度的熱分布成像，能通過(guò)高倍率光學(xué)系統(tǒng)捕捉芯片表面微米級(jí)的溫度差異；鎖相紅外熱成像系統(tǒng)則依托鎖相技術(shù)，可從環(huán)境噪聲中提取微弱的周期性熱信號(hào)，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)缺陷的精細(xì)定位。致晟光電通過(guò)硬件集成與算法優(yōu)化，讓兩者形成 “1+1＞2” 的協(xié)同效應(yīng) —— 既保留熱紅外顯微鏡的微觀觀測(cè)能力，又賦予其鎖相技術(shù)的微弱信號(hào)檢測(cè)優(yōu)勢(shì)，無(wú)需在兩種設(shè)備間切換即可完成從宏觀掃描到微觀定位的全流程分析。鎖相熱成像系統(tǒng)提升電激勵(lì)檢測(cè)的缺陷識(shí)別率。無(wú)損檢測(cè)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)P20

電激勵(lì)強(qiáng)度可控，保障鎖相熱成像系統(tǒng)檢測(cè)安全。國(guó)產(chǎn)平替鎖相紅外熱成像系統(tǒng)成像儀

電子產(chǎn)業(yè)的電路板老化檢測(cè)中，電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)效果優(yōu)異，為電子設(shè)備的維護(hù)和更換提供了科學(xué)依據(jù)，有效延長(zhǎng)了設(shè)備的使用壽命。電路板在長(zhǎng)期使用過(guò)程中，會(huì)因元件老化、線路氧化、灰塵積累等原因，導(dǎo)致性能下降，可能出現(xiàn)隱性缺陷，如電阻值漂移、電容漏電、線路接觸不良等。這些隱性缺陷在設(shè)備正常工作時(shí)可能不會(huì)立即顯現(xiàn)，但在負(fù)載變化或環(huán)境溫度波動(dòng)時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備故障。通過(guò)對(duì)老化的電路板施加適當(dāng)?shù)碾娂?lì)，模擬設(shè)備的工作狀態(tài)，老化缺陷處會(huì)因性能參數(shù)的變化而產(chǎn)生與正常區(qū)域不同的溫度變化。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠檢測(cè)到這些溫度變化，并通過(guò)分析溫度場(chǎng)的分布特征，評(píng)估電路板的老化程度和潛在故障風(fēng)險(xiǎn)。例如，在檢測(cè)工業(yè)控制設(shè)備的電路板時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)老化電容周圍的溫度明顯高于正常區(qū)域，提示需要及時(shí)更換電容，避免設(shè)備在運(yùn)行過(guò)程中突然故障。國(guó)產(chǎn)平替鎖相紅外熱成像系統(tǒng)成像儀