EMMI 的技術基于半導體物理原理，當半導體器件內部存在缺陷導致異常電學行為時，會引發電子 - 空穴對的復合，進而產生光子發射。設備中的高靈敏度探測器如同敏銳的 “光子獵手”，能將這些微弱的光信號捕獲。例如，在制造工藝中，因光刻偏差或蝕刻過度形成的微小短路，傳統檢測手段難以察覺，EMMI 卻能憑借其對光子的探測，將這類潛在問題清晰暴露，助力工程師快速定位，及時調整工藝參數，避免大量不良品的產生，極大提升了半導體制造的良品率與生產效率。對于靜電放電損傷等電缺陷，微光顯微鏡可通過光子發射準確找到問題。工業檢測微光顯微鏡設備

EMMI（Emission Microscopy，微光顯微鏡）是一種基于微弱光發射成像原理的“微光顯微鏡”，廣泛應用于集成電路失效分析。其本質在于：通過高靈敏度的InGaAs探測器，捕捉芯片在加電或工作狀態下因缺陷、漏電或擊穿等現象而產生的極其微弱的自發光信號。這些光信號通常位于近紅外波段，功率極低，肉眼無法察覺，必須借助專門設備放大成像。相比傳統的結構檢測方法，EMMI無需破壞樣品，也無需額外激發源，具備非接觸、無損傷、定位等優勢。其空間分辨率可達微米級，可用于閂鎖效應、柵氧擊穿、短路、漏電等問題的初步診斷，是構建失效分析閉環的重要手段之一。
制冷微光顯微鏡內容微光顯微鏡適用于多種半導體材料與器件結構，應用之廣。

展望未來，隨著半導體技術持續創新，EMMI 微光顯微鏡有望迎來更廣闊的應用前景。在量子計算芯片領域，其對微弱量子信號的檢測需求與 EMMI 微光顯微鏡的光信號探測特性存在潛在結合點，或許未來 EMMI 能夠助力量子芯片的研發與質量檢測，推動量子計算技術走向成熟。在物聯網蓬勃發展的背景下，海量微小、低功耗半導體器件投入使用，EMMI 憑借其高靈敏度與非侵入式檢測優勢，可用于保障這些器件的長期穩定運行，為構建萬物互聯的智能世界貢獻力量 。

芯片在工作過程中，漏電缺陷是一類常見但極具隱蔽性的失效現象。傳統檢測手段在面對復雜電路結構和高集成度芯片時，往往難以在短時間內實現精細定位。而微光顯微鏡憑借對極微弱光輻射的高靈敏捕捉能力，為工程師提供了一種高效的解決方案。當芯片局部出現漏電時，會產生非常微小的發光現象，常規設備無法辨識，但微光顯微鏡能夠在非接觸狀態下快速捕獲并呈現這些信號。通過成像結果，工程師可以直觀判斷缺陷位置和范圍，進而縮短排查周期。相比以往依賴電性能測試或剖片分析的方式，微光顯微鏡實現了更高效、更經濟的缺陷診斷，不僅提升了芯片可靠性分析的準確度，也加快了產品從研發到量產的閉環流程。由此可見，微光顯微鏡在電子工程領域的應用，正在為行業帶來更快、更精細的檢測能力。二極管漏電會被顯微鏡捕捉。

在微光顯微鏡（EMMI）檢測中，部分缺陷會以亮點形式呈現，

例如：漏電結（JunctionLeakage）接觸毛刺（ContactSpiking）熱電子效應（HotElectrons）閂鎖效應（Latch-Up）氧化層漏電（GateOxideDefects/Leakage，F-N電流）多晶硅晶須（Poly-SiliconFilaments）襯底損傷（SubstrateDamage）物理損傷（MechanicalDamage）等。

同時，在某些情況下，樣品本身的正常工作也可能產生亮點，例如：飽和/工作中的雙極型晶體管（Saturated/ActiveBipolarTransistors）飽和的MOS或動態CMOS（SaturatedMOS/DynamicCMOS）正向偏置二極管（ForwardBiasedDiodes）反向偏置二極管擊穿（Reverse-BiasedDiodesBreakdown）等。

因此，觀察到亮點時，需要結合電氣測試與結構分析，區分其是缺陷發光還是正常工作發光。此外，部分缺陷不會產生亮點，如：歐姆接觸金屬互聯短路表面反型層硅導電通路等。

若亮點被金屬層或其他結構遮蔽（如BuriedJunctions、LeakageSitesUnderMetal），可嘗試采用背面（Backside）成像模式。但此模式只能探測近紅外波段的發光，并需要對樣品進行減薄及拋光處理。 EMMI是借助高靈敏探測器，捕捉芯片運行時自然產生的“極其微弱光發射”。工業檢測微光顯微鏡品牌排行

微光顯微鏡顯微在檢測柵極漏電、PN 結微短路等微弱發光失效時可以做到精細可靠。工業檢測微光顯微鏡設備

致晟光電微光顯微鏡emmi應用領域對于失效分析而言，微光顯微鏡是一種相當有用，且效率極高的分析工具，主要偵測IC內部所放出光子。在IC原件中，EHP Recombination會放出光子，例如：在PN Junction加偏壓，此時N的電子很容易擴散到P， 而P的空穴也容易擴散至N，然后與P端的空穴做EHP Recombination。 偵測到亮點之情況    會產生亮點的缺陷：1.漏電結；2.解除毛刺；3.熱電子效應；4閂鎖效應；5氧化層漏電；6多晶硅須；7襯底損失；8.物理損傷等。工業檢測微光顯微鏡設備