漏電是芯片另一種常見的失效模式，其誘因復雜多樣，既可能源于晶體管長期工作后的老化衰減，也可能由氧化層存在裂紋等缺陷引發。

與短路類似，芯片內部發生漏電時，漏電路徑中會伴隨微弱的光發射現象——這種光信號的強度往往遠低于短路產生的光輻射，對檢測設備的靈敏度提出了極高要求。EMMI憑借其的微光探測能力，能夠捕捉到漏電產生的極微弱光信號。通過對芯片進行全域掃描，可將漏電區域以可視化圖像的形式清晰呈現，使工程師能直觀識別漏電位置與分布特征。

國外微光顯微鏡價格高昂，常達上千萬元，我司國產設備工藝完備，技術成熟，平替性價比高。紅外光譜微光顯微鏡儀器

在微光顯微鏡（EMMI) 操作過程中，當對樣品施加合適的電壓時，其失效點會由于載流子加速散射或電子-空穴對復合效應而發射特定波長的光子。這些光子經過采集和圖像處理后，可以形成一張信號圖。隨后，取消施加在樣品上的電壓，在未供電的狀態下采集一張背景圖。再通過將信號圖與背景圖進行疊加處理，就可以精確地定位發光點的位置，實現對失效點的精確定位。進一步地，為了提升定位的準確性，可采用多種圖像處理技術進行優化。例如，通過濾波算法去除背景噪聲，增強信號圖的信噪比；利用邊緣檢測技術，突出顯示發光點的邊緣特征，從而提高定位精度。顯微微光顯微鏡范圍微光顯微鏡在 LED 故障分析中作用關鍵，可檢測漏電倒裝、短路倒裝及漏電垂直 LED 芯片的異常點。

通過對這些微光信號的成像與定位，它能直接“鎖定”電性能缺陷的物理位置，如同在黑夜中捕捉螢火蟲的微光，實現微米級的定位。而熱紅外顯微鏡則是“溫度的解讀師”，依托紅外熱成像技術，它檢測的是芯片工作時因能量損耗產生的溫度差異。電流通過芯片時的電阻損耗、電路短路時的異常功耗，都會轉化為局部溫度的細微升高，這些熱量以紅外輻射的形式散發，被熱紅外顯微鏡捕捉并轉化為熱分布圖。通過分析溫度異常區域，它能間接推斷電路中的故障點，尤其擅長發現與能量損耗相關的問題。

致晟光電將熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）與微光顯微鏡 (EMMI) 集成的設備，在維護成本控制上展現出優勢。對于分開的兩臺設備，企業需配備專門人員分別學習兩套系統的維護知識，培訓內容涵蓋不同的機械結構、光學原理、軟件操作，還包括各自的故障診斷邏輯與校準流程，往往需要數月的系統培訓才能確保人員熟練操作，期間產生的培訓費用、時間成本居高不下。而使用一套集成設備只需一套維護體系，維護人員只需掌握一套系統的維護邏輯與操作規范，無需在兩套差異化的設備間切換學習，培訓周期可縮短近一半，大幅降低了培訓方面的人力與資金投入。
微光顯微鏡搭配高分辨率鏡頭，可將微小缺陷放大至清晰可見，讓檢測更易觀察分析，提升檢測的準確度。

失效分析是指通過系統的檢測、實驗和分析手段，探究產品或器件在設計、生產、使用過程中出現故障、性能異常或失效的根本原因，進而提出改進措施以預防同類問題再次發生的技術過程。它是連接產品問題與解決方案的關鍵環節，**在于精細定位失效根源，而非*關注表面現象。在半導體行業，失效分析具有不可替代的應用價值，貫穿于芯片從研發到量產的全生命周期。

在研發階段，針對原型芯片的失效問題（如邏輯錯誤、漏電、功耗過高等），通過微光顯微鏡、探針臺等設備進行失效點定位，結合電路仿真、材料分析等手段，可追溯至設計缺陷（如布局不合理、時序錯誤）或工藝參數偏差，為芯片設計優化提供直接依據；在量產環節，當出現批量性失效時，失效分析能快速判斷是光刻、蝕刻等制程工藝的穩定性問題，還是原材料（如晶圓、光刻膠）的質量波動，幫助生產線及時調整參數，降低報廢率；在應用端，針對芯片在終端設備（如手機、汽車電子）中出現的可靠性失效（如高溫環境下性能衰減、長期使用后的老化失效），通過環境模擬測試、失效機理分析，可推動芯片在封裝設計、材料選擇上的改進，提升產品在復雜工況下的穩定性。 微光顯微鏡分析 3D 封裝器件光子，結合光學原理和算法可預估失效點深度，為失效分析和修復提供參考。IC微光顯微鏡用戶體驗

針對光器件，能定位光波導中因損耗產生的發光點，為優化光子器件的傳輸性能、降低損耗提供關鍵數據。紅外光譜微光顯微鏡儀器

在故障分析領域，微光顯微鏡（EmissionMicroscope,EMMI）是一種極具實用價值且效率出眾的分析工具。其功能是探測集成電路（IC）內部釋放的光子。在IC元件中，電子-空穴對（ElectronHolePairs,EHP）的復合過程會伴隨光子（Photon）的釋放。具體可舉例說明：當P-N結施加偏壓時，N區的電子會向P區擴散，同時P區的空穴也會向N區擴散，隨后這些擴散的載流子會與對應區域的載流子（即擴散至P區的電子與P區的空穴、擴散至N區的空穴與N區的電子）發生EHP復合，并在此過程中釋放光子。紅外光譜微光顯微鏡儀器