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空載電流的檢測。(a) 直接測量法。將次級所有繞組全部開路，把萬用表置于交流電流擋500mA，串入初級繞組。當初級繞組的插頭插入220V交流市電時，萬用表所指示的便是空載電流值。此值不應大于變壓器滿載電流的10%～20%。一般常見電子設備電源變壓器的正常空載電...

用電子測量儀器是利用電子技術來進行測量的儀器。電子測量儀器是指以電子技術為基礎，結合電子測量、數字信號處理、微電子、射頻微波設計等多領域技術，組成單機或自動測試系統，并用于監測、測量、計算各類物理參數和成分的儀器。其具有檢測測量、信號傳遞和數據處理等功能，...

如果把電源的方向反過來接，則空穴和電子都背離偶極層流動而使偶極層變厚，同時電流被限制在一個很小的飽和值內(稱反向飽和電流)。因此，PN結具有單向導電性。此外，PN結的偶極層還起一個電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內部電場很強。...

展望未來，無錫微原電子科技有限公司將繼續堅持以技術創新為**，加大研發投入，推動產品和服務的升級換代。公司計劃在未來幾年內，重點發展以下幾個方向： 一是持續優化現有產品線，提高產品的競爭力。通過對材料、設計、工藝等方面的深入研究...

美國半導體分立器件型號命名方法美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業協會半導體分立器件命名方法如下： ***部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非***品...

設備按照終端數量可以分為二端設備、三端設備和多端設備。目前***使用的固態器件包括晶體管、場效應晶體管(FET)、晶閘管(SCR)、二極管（整流器）和發光二極管(LED)。半導體器件可以用作單獨的組件，也可以用作集成多個器件的集成電路，這些器件可以在單個基...

電容器電容器通常簡稱其為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是“裝電的容器”，是一種容納電荷的器件。英文名稱：capacitor。電容是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用于隔直，耦合，旁路，濾波，調諧回路， 能量轉換，控制電路等方面。定義2：...

微電子技術和計算機技術的迅速發展，給傳統的測繪技術和測繪儀器帶來了很大的沖擊，使測繪儀器的發展產生了**性的變化，電子經緯儀也是其中之一。 在國外電子經緯儀的研究和試制大約要追溯到六十年代末和七十年代初，美國K&E公司試制了***臺數字經緯儀...

頻域測量頻域測量也稱為穩態測量，主要目的是獲取待測量與頻率之間的關系。如用頻譜分析儀分析信號的頻譜，測量放大器的幅頻特性、相頻特性等。數據域測量數據域測量也稱邏輯量測量，主要是對數字信號或電路的邏輯狀態進行測量，如用邏輯分析儀等設備測量計數器的狀態。隨機測...

基爾比之后半年，仙童半導體公司的羅伯特·諾伊斯開發了一種新的集成電路，比基爾比的更實用。諾伊斯的設計由硅制成，而基爾比的芯片由鍺制成。諾伊斯將以下原理歸功于斯普拉格電氣的庫爾特·利霍韋克p–n絕緣結，這也是集成電路背后的關鍵概念。[17]這種絕緣允許每個晶體管...

1954年，結型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場效應晶體管的構想。隨著無缺陷結晶和缺陷控制等材料技術、晶體外誕生長技術和擴散摻雜技術、耐壓氧化膜的制備技術、腐蝕和光刻技術的出現和發展，各種性能優良的電子器件相繼出現，電子元器件逐步從真空管時代進入晶體管時代和大...

本征半導體的電流：電子電流+空穴電流。自由電子和空穴所帶電荷極性不同，它們運動方向相反。載流子：運載電荷的粒子稱為載流子。導體電的特點：導體導電只有一種載流子，即自由電子導電。本征半導體電的特點：本征半導體有兩種載流子，即自由電子和空穴均參與導電。本征激發：半...

新型材料應用：二維材料、量子點、碳納米管等新型材料的研究和應用，為芯片設計帶來了新的發展機遇。這些材料具有優異的電學、熱學和力學性能，可以顯著提高芯片的性能和可靠性。封裝技術優化：先進的封裝技術，如3D封裝、系統級封裝（SiP）等，使得芯片在集成度和互連性上得...

展望未來，無錫微原電子科技有限公司將繼續堅持以技術創新為**，加大研發投入，推動產品和服務的升級換代。公司計劃在未來幾年內，重點發展以下幾個方向： 一是持續優化現有產品線，提高產品的競爭力。通過對材料、設計、工藝等方面的深入研究...

集成電路的早期發展可以追溯到1949年，當時德國工程師沃納·雅可比[4]（西門子)[5]申請了集成電路狀半導體放大器的**[6]示出了公共襯底上的五個晶體管組成的三級放大器。雅可比披露了小巧便宜的助聽器作為他**的典型工業應用。他的**尚未被報道而立即用于商業...

應注意，有些型號的全站儀在距離測量時不能設定儀器高和棱鏡高，顯示的高差值是全站儀橫軸中心與棱鏡中心的高差。3）坐標測量（1）設定測站點的三維坐標。（2）設定后視點的坐標或設定后視方向的水平度盤讀數為其方位角。當設定后視點的坐標時，全站儀會自動計算后視方向的方位...

新型半導體材料在工業方面的應用越來越多。新型半導體材料表現為其結構穩定，擁有***的電學特性，而且成本低廉，可被用于制造現代電子設備中***使用，我國與其他國家相比在這方面還有著很大一部分的差距，通常會表現在對一些基本儀器的制作和加工上，近幾年來，國家...

半導體制冷技術是目前的制冷技術中應用比較***的。農作物在溫室大棚中生長中，半導體制冷技術可以對環境溫度有效控制，特別是一些對環境具有很高要求的植物，采用半導體制冷技術塑造生長環境，可以促進植物的生長。半導體制冷技術具有可逆性，可以用于制冷，也可...

它在電路中用字母“IC”表示。集成電路的發明者是JackKilby（集成電路基于鍺(Ge)）和RobertNoyth（基于硅(Si)的集成電路）。當今半導體行業的大多數應用都是基于硅的集成電路。集成電路是1950年代末和1960年代發展起來的一種新型半導體器件...

美國半導體分立器件型號命名方法美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業協會半導體分立器件命名方法如下： ***部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非***品...

水泥電阻的檢測。檢測水泥電阻的方法及注意事項與檢測普通固定電阻完全相同。3 熔斷電阻器的檢測。在電路中，當熔斷電阻器熔斷開路后，可根據經驗作出判斷：若發現熔斷電阻器表面發黑或燒焦，可斷定是其負荷過重，通過它的電流超過額定值很多倍所致；如果其表面無任何痕跡而開路...

雙極型晶體管它是由兩個PN結構成，其中一個PN結稱為發射結，另一個稱為集電結。兩個結之間的一薄層半導體材料稱為基區。接在發射結一端和集電結一端的兩個電極分別稱為發射極和集電極。接在基區上的電極稱為基極。在應用時，發射結處于正向偏置，集電極處于反向偏...

電子測量儀器市場規模全球電子測量儀器市場規模保持持續上升的趨勢。隨著全球經濟增長、工業技術水平提升，電子測量儀器市場規模不斷增加，根據Frost&；Sullivan數據，電子測量儀器的市場規模由2015年的100.95億美元增長至2020年136.78億美元，...

半導體的分類，按照其制造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分...

中國半導體器件型號命名方法半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。 五個部分意義如下： ***部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管 第...

電子測距儀有很多種，如：手持測距儀、激光測距儀、超聲波測距儀、紅外測距儀，介紹其中的幾種； 光學測距儀，英文全名“Optical Range Finder”。可直譯為“射程測量儀”它是采用三角函數概念來測算距離的儀器。其概念雖然在18世紀就已經提出，但無奈當時...

集成電路芯片行業作為現代科技的**領域，其未來發展情況呈現出以下趨勢：市場規模持續增長全球市場方面：根據世界半導體貿易統計組織（WSTS）的數據，2024年全球半導體市場規模已達到6430億美元，同比增長7.3%。預計2025年，全球半導體市場規模將進一步增長...

阻電阻在電路中用"R"加數字表示，如：R1表示編號為1的電阻。電阻在電路中的主要作用為：分流、限流、分壓、偏置等。電容電容在電路中一般用"C"加數字表示(如C13表示編號為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔...

自20世紀50年代提出集成電路的設想后，由于材料技術、器件技術和電路設計等綜合技術的進步，在20世紀60年代研制成功了***代集成電路。在半導體發展史上。集成電路的出現具有劃時代的意義：它的誕生和發展推動了銅芯技術和計算機的進步，使科學研究的各個領域以及工業社...

這種由于電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射（發光）或晶格的熱振動能量（發熱）。在一定溫度下，電子-空穴對的產生和復合同時存在并達到動態平衡，此...