在碳化硅晶圓切割領(lǐng)域，由于材料硬度高達(dá)莫氏9級(jí)，傳統(tǒng)切割方式面臨效率低下的問(wèn)題。中清航科創(chuàng)新采用超高壓水射流與激光復(fù)合切割技術(shù)，利用水射流的冷卻作用抑制激光切割產(chǎn)生的熱影響區(qū)，同時(shí)借助激光的預(yù)熱作用降低材料強(qiáng)度，使碳化硅晶圓的切割效率提升3倍，熱影響區(qū)控制在10μm以?xún)?nèi)。晶圓切割設(shè)備的可靠性是大規(guī)模生產(chǎn)的基礎(chǔ)保障。中清航科對(duì)中心部件進(jìn)行嚴(yán)格的可靠性測(cè)試，其中激光振蕩器經(jīng)過(guò)10萬(wàn)小時(shí)連續(xù)運(yùn)行驗(yàn)證，機(jī)械導(dǎo)軌的壽命測(cè)試達(dá)到200萬(wàn)次往復(fù)運(yùn)動(dòng)無(wú)故障。設(shè)備平均無(wú)故障時(shí)間（MTBF）突破1000小時(shí)，遠(yuǎn)超行業(yè)800小時(shí)的平均水平，為客戶(hù)提供穩(wěn)定可靠的生產(chǎn)保障。切割道寬度測(cè)量?jī)x中清航科研發(fā)，在線檢測(cè)精度達(dá)0.05μm。杭州sic晶圓切割代工廠

中清航科的晶圓切割設(shè)備通過(guò)了多項(xiàng)國(guó)際認(rèn)證，包括CE、FCC、UL等，符合全球主要半導(dǎo)體市場(chǎng)的準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)。設(shè)備設(shè)計(jì)嚴(yán)格遵循國(guó)際安全規(guī)范與電磁兼容性要求，可直接出口至歐美、日韓等地區(qū)，為客戶(hù)拓展國(guó)際市場(chǎng)提供設(shè)備保障。在晶圓切割的刀具校準(zhǔn)方面，中清航科創(chuàng)新采用激光對(duì)刀技術(shù)。通過(guò)高精度激光束掃描刀具輪廓，自動(dòng)測(cè)量刀具直徑、刃口角度等參數(shù)，并與標(biāo)準(zhǔn)值對(duì)比，自動(dòng)計(jì)算補(bǔ)償值，整個(gè)校準(zhǔn)過(guò)程只需3分鐘，較傳統(tǒng)機(jī)械對(duì)刀方式提升效率80%，且校準(zhǔn)精度更高。衢州碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割代工廠中清航科切割冷卻系統(tǒng)專(zhuān)利設(shè)計(jì)，溫差梯度控制在0.3℃/mm。

中清航科ESG解決方案：設(shè)備內(nèi)置能源管理模塊，智能調(diào)節(jié)激光功率與主軸轉(zhuǎn)速，單次切割能耗降低42%。碳追蹤平臺(tái)每8小時(shí)生成減排報(bào)告，助力客戶(hù)達(dá)成碳中和目標(biāo)，已獲全球25家代工廠采購(gòu)認(rèn)證。功率器件背面金層在切割中易翹曲。中清航科開(kāi)發(fā)脈沖電流輔助切割，在刀片-晶圓界面施加微電流（<10mA），瞬時(shí)加熱至150℃軟化金層，剝離風(fēng)險(xiǎn)下降90%，剪切強(qiáng)度保持>45MPa。中清航科推出粉塵組分診斷系統(tǒng)：通過(guò)LIBS（激光誘導(dǎo)擊穿光譜）在線分析顆粒元素構(gòu)成，自動(dòng)推薦冷卻液配方調(diào)整方案。幫助客戶(hù)減少因金屬污染導(dǎo)致的芯片失效，良率提升1.2%。

為滿(mǎn)足半導(dǎo)體行業(yè)的快速交付需求，中清航科建立了高效的設(shè)備生產(chǎn)與交付體系。采用柔性化生產(chǎn)模式，標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)切割設(shè)備可實(shí)現(xiàn)7天內(nèi)快速發(fā)貨，定制化設(shè)備交付周期控制在30天以?xún)?nèi)。同時(shí)提供門(mén)到門(mén)安裝調(diào)試服務(wù)，配備專(zhuān)業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)全程跟進(jìn)，確保設(shè)備快速投產(chǎn)。在晶圓切割的工藝參數(shù)優(yōu)化方面，中清航科引入實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)（DOE）方法。通過(guò)多因素正交試驗(yàn)，系統(tǒng)分析激光功率、切割速度、焦點(diǎn)位置等參數(shù)對(duì)切割質(zhì)量的影響，建立參數(shù)優(yōu)化模型，可在20組實(shí)驗(yàn)內(nèi)找到比較好工藝組合，較傳統(tǒng)試錯(cuò)法減少60%的實(shí)驗(yàn)次數(shù)，加速新工藝開(kāi)發(fā)進(jìn)程。切割刀痕深度控制中清航科技術(shù)達(dá)±0.2μm，減少后續(xù)研磨量。

半導(dǎo)體制造對(duì)潔凈度要求嚴(yán)苛，晶圓切割環(huán)節(jié)的微塵污染可能導(dǎo)致芯片失效。中清航科的切割設(shè)備采用全封閉防塵結(jié)構(gòu)與高效HEPA過(guò)濾系統(tǒng)，工作區(qū)域潔凈度達(dá)到Class1標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)配備激光誘導(dǎo)等離子體除塵裝置，實(shí)時(shí)清理切割產(chǎn)生的微米級(jí)顆粒，使產(chǎn)品不良率降低至0.1%以下。在成本控制成為半導(dǎo)體企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的現(xiàn)在，中清航科通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)切割耗材的大幅節(jié)約。其自主研發(fā)的金剛石切割刀片，使用壽命較行業(yè)平均水平延長(zhǎng)50%，且通過(guò)刀片磨損實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與自動(dòng)補(bǔ)償技術(shù)，減少頻繁更換帶來(lái)的停機(jī)損失，幫助客戶(hù)降低20%的耗材成本，在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中構(gòu)筑成本優(yōu)勢(shì)。中清航科納米涂層刀片壽命延長(zhǎng)3倍，單刀切割達(dá)500片。揚(yáng)州芯片晶圓切割企業(yè)

中清航科全自動(dòng)切割線配備AI視覺(jué)定位，精度達(dá)±1.5μm。杭州sic晶圓切割代工廠

GaN材料硬度高且易產(chǎn)生解理裂紋。中清航科創(chuàng)新水導(dǎo)激光切割（WaterJetGuidedLaser），利用高壓水柱約束激光束，冷卻與沖刷同步完成。崩邊尺寸<8μm，熱影響區(qū)只2μm，滿(mǎn)足射頻器件高Q值要求。設(shè)備振動(dòng)導(dǎo)致切割線寬波動(dòng)。中清航科應(yīng)用主動(dòng)磁懸浮阻尼系統(tǒng)，通過(guò)6軸加速度傳感器實(shí)時(shí)生成反向抵消力，將振幅壓制在50nm以?xún)?nèi)。尤其適用于超窄切割道（<20μm）的高精度需求。光學(xué)器件晶圓需避免邊緣微裂紋影響透光率。中清航科紫外皮秒激光系統(tǒng)（波長(zhǎng)355nm）配合光束整形模塊，實(shí)現(xiàn)吸收率>90%的冷加工，切割面粗糙度Ra<0.05μm，突破攝像頭模組良率瓶頸。杭州sic晶圓切割代工廠