激光的產(chǎn)生圖1在講激光產(chǎn)生機理之前，先講一下受激輻射。在光輻射中存在三種輻射過程，一是處于高能態(tài)的粒子自發(fā)向低能態(tài)躍遷，稱之為自發(fā)輻射；二是處于高能態(tài)的粒子在外來光的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷，稱之為受激輻射；三是處于低能態(tài)的粒子吸收外來光的能量向高能態(tài)躍遷稱之為受激吸收。圖2 激光二極管示意圖自發(fā)輻射，即使是兩個同時從某一高能態(tài)向低能態(tài)躍遷的粒子，它們發(fā)出光的相位、偏振狀態(tài)、發(fā)射方向也可能不同，但受激輻射就不同，當位于高能態(tài)的粒子在外來光子的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷，發(fā)出在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面與外來光子完全相同的光。在激光器中，發(fā)生的輻射就是受激輻射，它發(fā)出的激光在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面完全一樣。任何的受激發(fā)光系統(tǒng)，即有受激輻射，也有受激吸收，只有受激輻射占優(yōu)勢，才能把外來光放大而發(fā)出激光。而一般光源中都是受激吸收占優(yōu)勢，只有粒子的平衡態(tài)被打破，使高能態(tài)的粒子數(shù)大于低能態(tài)的粒子數(shù)（這樣情況稱為粒子數(shù)反轉(zhuǎn)），才能發(fā)出激光。焦點處激光功率達300mW。北京DTS激光破膜
PGS適用人群播報編輯高齡孕婦(年齡≥35歲)反復自然流產(chǎn)史的孕婦（自然流產(chǎn)≥3次）反復胚胎種植失敗的孕婦（失敗≥3次）生育過染色體異常疾病患兒的夫婦染色體數(shù)目及結構異常的夫婦注意事項播報編輯選擇了PGS，常規(guī)產(chǎn)前檢查仍不可忽視。因為全世界各種遺傳性疾病有4000余種，而PGS只能檢查胚胎23對染色體結構和數(shù)目的異常，無法覆蓋所有疾病。因為PGS取材有限，只是取一定數(shù)量的卵裂球或者囊胚期細胞，雖然不會影響胚胎的正常發(fā)育，但取材細胞和留下繼續(xù)發(fā)育的細胞團遺傳構成并非完全相同，故對于某些染色體嵌合型疾病可能出現(xiàn)篩查結果不符。另外染色體疾病的發(fā)病原因至今不明，也沒有預防的辦法。雖然挑選了健康的胚胎，但是胚胎移植后，生命發(fā)育任何一個階段胎兒由于母體原因、環(huán)境等因素，染色體都有可能出現(xiàn)異常變化。所以選擇PGS成功受孕后，孕婦仍然需要進行常規(guī)的產(chǎn)前檢查。PGS不可替代產(chǎn)前篩查。若常規(guī)產(chǎn)前檢查發(fā)現(xiàn)胎兒異常，或孕婦本人具有進行產(chǎn)前篩查的指征，強烈建議孕婦選擇羊水穿刺等產(chǎn)前篩查方式進行確認。北京Hamilton Thorne激光破膜熱效應環(huán)激光模塊整合在專門設計的40X物鏡上，物鏡運行透過可見。
激光破膜儀在醫(yī)學領域的其他應用
除了在輔助生殖技術中的應用，激光破膜儀還具有以下醫(yī)學應用：***殺菌：激光可以加快局部血液循環(huán)，****防御，抑制細菌等病原體繁殖34。促進傷口愈合：刺激細胞活性，改善微循環(huán)，降低***風險34。緩解疼痛：通過刺激神經(jīng)末梢釋放鎮(zhèn)痛物質(zhì)，減輕疼痛34。改善局部血液循環(huán)：激光能量穿透皮膚，調(diào)節(jié)血管功能，增加血流量34。美容護膚：利用激光刺激膠原蛋白再生，改善皮膚質(zhì)量34。
激光破膜儀的優(yōu)勢
1.提升胚胎發(fā)育潛能：激光破膜儀有助于囊胚克服孵化前的結構性阻力，使胚胎內(nèi)外的代謝產(chǎn)物和營養(yǎng)物質(zhì)能夠順利交換，從而提升胚胎的發(fā)育潛能。
2.節(jié)省胚胎能量：通過輔助孵出，激光破膜儀降低了囊胚擴張和孵化所需的能量，節(jié)省了活力較差的胚胎在孵化過程中的能量消耗，提高了移植成功的概率。
3.促進胚胎與子宮內(nèi)膜同步發(fā)育：激光破膜儀幫助胚胎提前孵化，使其能夠更早地與子宮內(nèi)膜接觸，從而實現(xiàn)胚胎和子宮內(nèi)膜的同步發(fā)育，更有助于妊娠成功。激光破膜儀的適用情況激光破膜儀并非***適用，而是針對特定情況的一種輔助手段。如反復種植失敗、透明帶厚度超過15口m、女方年齡≥38歲等情況，可以考慮實施輔助孵化。然而，對于大部分群體而言，并不需要輔助孵化，也不會影響胚胎的著床成功率。 通過調(diào)節(jié)激光參數(shù)，可根據(jù)不同胚胎的特點進行個性化的輔助孵化，進一步提高胚胎著床率和妊娠成功率。
發(fā)展上世紀60年代發(fā)明的一種光源，命名為激光，LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母縮寫。1962年秋***研制出 77K下脈沖受激發(fā)射的同質(zhì)結GaAs 激光二極管。1964 年將其工作溫度提高到室溫。1969年制造出室溫下脈沖工作的單異質(zhì)結激光二極管，1970年制成室溫下連續(xù)工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs雙異質(zhì)結(DH)激光二極管。此后，激光二極管迅速發(fā)展。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二極管的壽命提高到105小時以上。In1-xGaxAs1-yPy/InP 長波長DH激光二極管也取得重大進展，因而推動了光纖通信和其他應用的發(fā)展。此外還出現(xiàn)了由Pb1-xSnxTe等 Ⅳ-Ⅵ族材料制成的遠紅外波長激光二極管。胚胎活組織檢查時，可利用激光精確獲取胚胎部分組織用于遺傳學分析，且不影響胚胎后續(xù)發(fā)育。上海Laser激光破膜內(nèi)細胞團分離
有激光紅外虛擬落點引導功能，可在顯微鏡下直接清晰觀察到激光落點，無需再借助顯示器，提升操作的便捷性。北京DTS激光破膜
半導體激光二極管的基本結構：垂直于PN結面的一對平行平面構成法布里一一珀羅諧振腔，它們可以是半導體晶體的解理面，也可以是經(jīng)過拋光的平面。其余兩側面則相對粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。半導體中的光發(fā)射通常起因于載流子的復合。當半導體的PN結加有正向電壓時，會削弱PN結勢壘，迫使電子從N區(qū)經(jīng)PN結注入P區(qū)，空穴從P區(qū)經(jīng)過PN結注入N區(qū)，這些注入PN結附近的非平衡電子和空穴將會發(fā)生復合，從而發(fā)射出波長為λ的光子，其公式如下：λ = hc/Eg ⑴式中：h一普朗克常數(shù)； c一光速； Eg一半導體的禁帶寬度。上述由于電子與空穴的自發(fā)復合而發(fā)光的現(xiàn)象稱為自發(fā)輻射。當自發(fā)輻射所產(chǎn)生的光子通過半導體時，一旦經(jīng)過已發(fā)射的電子一空穴對附近，就能激勵二者復合，產(chǎn)生新光子，這種光子誘使已激發(fā)的載流子復合而發(fā)出新光子現(xiàn)象稱為受激輻射。如果注入電流足夠大，則會形成和熱平衡狀態(tài)相反的載流子分布，即粒子數(shù)反轉(zhuǎn)。當有源層內(nèi)的載流子在大量反轉(zhuǎn)情況下，少量自發(fā)輻射產(chǎn)生的光子由于諧振腔兩端面往復反射而產(chǎn)生感應輻射，造成選頻諧振正反饋，或者說對某一頻率具有增益。當增益大于吸收損耗時，就可從PN結發(fā)出具有良好譜線的相干光一一激光，這就是激光二極管的原理。北京DTS激光破膜
